CONTRIBUTION A L'ETUDE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN TIRE PAR METHODE CZOCHRALSKI PDF Download

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CONTRIBUTION A L'ETUDE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN TIRE PAR METHODE CZOCHRALSKI

CONTRIBUTION A L'ETUDE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN TIRE PAR METHODE CZOCHRALSKI PDF Author: Jean-Pierre Brevignon
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 176

Book Description
ETUDE DE L'EVOLUTION DE L'OXYGENE INTERSTITIEL PENDANT UN TRAITEMENT THERMIQUE ET CARACTERISATION PAR TOPOGRAPHIE RX ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE.

CONTRIBUTION A L'ETUDE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN TIRE PAR METHODE CZOCHRALSKI

CONTRIBUTION A L'ETUDE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN TIRE PAR METHODE CZOCHRALSKI PDF Author: Jean-Pierre Brevignon
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 176

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ETUDE DE L'EVOLUTION DE L'OXYGENE INTERSTITIEL PENDANT UN TRAITEMENT THERMIQUE ET CARACTERISATION PAR TOPOGRAPHIE RX ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE.

Contribution à l’étude des processus d’évolution de l’oxygène et du carbone dans le silicium lors du tirage des monocristaux Czochralski et de certains traitements thermiques

Contribution à l’étude des processus d’évolution de l’oxygène et du carbone dans le silicium lors du tirage des monocristaux Czochralski et de certains traitements thermiques PDF Author: Hubert Compain
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 272

Book Description

Etude des défauts cristallins dans le silicium par diffusion de la lumière

Etude des défauts cristallins dans le silicium par diffusion de la lumière PDF Author: Vanessa Monier
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 136

Book Description
L'étude des précipités d'oxygène et des dislocations dans le silicium représente un enjeu important pour l'amélioration de la qualité des substrats SOI ou silicium. La technique LST (« Laser Scattering Tomography »), particulièrement adaptée à la densité ou la taille relativement faibles des défauts recherchés, est basée sur la diffusion de la lumière infrarouge. Ces travaux présentent les développements nécessaires de cette technique pour la mesure puis l'étude du comportement et de l'évolution des défauts. La taille des précipités d'oxygène individuels, à présent accessible, permet d'étudier leur croissance au cours du temps pour différentes températures et morphologies. L'étude des défauts étendus en fonction de la polarisation de la lumière incidente est ensuite détaillée. Le développement de la théorie de la diffusion de la lumière par les dislocations combinée aux différents développements de la technique LST permet la détermination complète du système de glissement d'une boucle de dislocation non décorée. Enfin, les mesures LST permettent de discriminer les dislocations décorées des non décorées.
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