Author: Annie Zann
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 210
Book Description
Contribution à l'étude de techniques de diffusion de bore dans le silicium: diborane - bribromure de bore - anhydride borique
Contribution à l'étude de techniques de diffusion de bore dans le silicium, diborane, tribromure de bore, anhydride borique
Contribution à l'étude de techniques de diffusion de bore dans le silicium-diborane, tribromure de bore, anhydride borique
Contribution à l'étude de technique de diffusion de bore dans le silicium - diborane, tirbromure de bore, anhydride borique
Contribution à l'étude expérimentale et à la simulation de la diffusion anormale du bore dans le silicium
CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA DIFFUSION ASSISTEE DE BORE DANS LE SILICIUM PAR IMPLANTATION A CHAUD
Author: Jean-Jacques Aubert
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 117
Book Description
L'ETUDE PORTE SUR LA DIFFUSION ASSISTEE DU BORE PAR IMPLANTATION A CHAUD. LORS DE L'IMPLANTATION, LES COUCHES IMPLANTEES SONT AMORPHISEES ET IL EST NECESSAIRE D'EFFECTUER DES RECUITS POST IMPLANTATION POUR RESTAURER LE CRISTAL ET ELIMINER LES DEFAUTS. DANS L'IMPLANTATION, LES SUBSTRATS PORTES IN SITU A HAUTE TEMPERATURE, LES DEFAUTS ASSISTENT LA DIFFUSION. ON MONTRE QUE LA CREATION D'UN COMPLEXE BORE DEFAUT EST RESPONSABLE DE L'AVANCEE ANORMALE DE JONCTION. L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES QUI DANS LE CAS CLASSIQUE NECESSITE DES TEMPERATURES ELEVEES ET DES TEMPS LONGS ATTEINT 30% PENDANT L'IMPLANTATION ELLE-MEME. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS SONT EXPLIQUES PAR UN MODELE PHYSIQUE CONSISTANT EN LA RESOLUTION SIMULTANEE DES EQUATIONS DE DIFFUSION DU BORE SUBSTITUTIONNEL, DES LACUNES ET DES COMPLEXES BORE-LACUNE
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 117
Book Description
L'ETUDE PORTE SUR LA DIFFUSION ASSISTEE DU BORE PAR IMPLANTATION A CHAUD. LORS DE L'IMPLANTATION, LES COUCHES IMPLANTEES SONT AMORPHISEES ET IL EST NECESSAIRE D'EFFECTUER DES RECUITS POST IMPLANTATION POUR RESTAURER LE CRISTAL ET ELIMINER LES DEFAUTS. DANS L'IMPLANTATION, LES SUBSTRATS PORTES IN SITU A HAUTE TEMPERATURE, LES DEFAUTS ASSISTENT LA DIFFUSION. ON MONTRE QUE LA CREATION D'UN COMPLEXE BORE DEFAUT EST RESPONSABLE DE L'AVANCEE ANORMALE DE JONCTION. L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES QUI DANS LE CAS CLASSIQUE NECESSITE DES TEMPERATURES ELEVEES ET DES TEMPS LONGS ATTEINT 30% PENDANT L'IMPLANTATION ELLE-MEME. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS SONT EXPLIQUES PAR UN MODELE PHYSIQUE CONSISTANT EN LA RESOLUTION SIMULTANEE DES EQUATIONS DE DIFFUSION DU BORE SUBSTITUTIONNEL, DES LACUNES ET DES COMPLEXES BORE-LACUNE