Author: Pierre Capdevila
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Languages : fr
Pages : 196
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Contribution à l'étude de méthodes de caractérisation de diodes à barrière de Schottky élaborées sur silicium amorphe hydrogéné
Contribution à l'étude de la densité d'états localisés du silicium amorphe hydrogéné
Author: Jean Dijon
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Languages : fr
Pages : 235
Book Description
ETUDE AU MOYENS DES COURANTS THERMOSTIMULES SUR DES DIODES SCHOTTKY DES ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. MISE AU POINT D'UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION DES ETATS DE QUEUES DE BANDES EXPONENTIELLES. LES IMPURETES ELECTRIQUEMENT ACTIVES SE LOCALISENT PREFERENTIELLEMENT DANS LES ETATS DE QUEUE DE BANDE LES PLUS PROFONDS. DES PICS ONT ETE ATTRIBUES AU PHOSPHORE, A L'OXYGENE OU A L'EAU
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Languages : fr
Pages : 235
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ETUDE AU MOYENS DES COURANTS THERMOSTIMULES SUR DES DIODES SCHOTTKY DES ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. MISE AU POINT D'UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION DES ETATS DE QUEUES DE BANDES EXPONENTIELLES. LES IMPURETES ELECTRIQUEMENT ACTIVES SE LOCALISENT PREFERENTIELLEMENT DANS LES ETATS DE QUEUE DE BANDE LES PLUS PROFONDS. DES PICS ONT ETE ATTRIBUES AU PHOSPHORE, A L'OXYGENE OU A L'EAU
Capacitance spectroscopy in hydrogenated amorphous silicon Schottky diodes and high efficiency silicon heterojunction solar cells
Author: Olga Maslova
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Languages : fr
Pages : 0
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Les travaux développés dans cette thèse sont dédiés à l'étude des propriétés électroniques de diodes Schottky de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et d'hétérojonctions entre silicium amorphe hydrogéné et silicium cristallin, a-Si:H/c-Si au moyen de spectroscopies de capacité de jonctions.Lors de la fabrication des cellules solaires à haut rendement plusieurs paramètres d'une hétérojonction a-Si:H/c-Si doivent être considérés. Premièrement, la densité d'états dans le gap du a-Si:H est d'une grande importance car il s'agit de défauts qui favorisent le piégeage et la recombinaison de porteurs. Deuxièmement, la détermination des désaccords des bandes entre la couche amorphe et la couche cristalline est indispensable puisque ceux-ci contrôlent le transport à travers la jonction et déterminent la courbure des bandes dans c-Si, ce qui va notamment influencer la recombinaison des porteurs sous lumière, donc la tension de circuit ouvert des cellules. Cette thèse a pour but d'étudier la spectroscopie de capacité comme technique d'analyse de paramètres clés pour les dispositifs à hétérojonctions de silicium : la densité d'états dans le a-Si:H et les désaccords des bandes entre a-Si:H et c-Si.La première partie est dédiée à l'étude de la capacité de diodes Schottky. Nous nous concentrons sur un traitement simplifié de la capacité en fonction de la température et de la fréquence reposant sur une expression analytique obtenue par une résolution approchée de l'équation de Poisson. Ce traitement permet en principe d'extraire la densité d'états au niveau de Fermi dans le a-Si:H et la fréquence de saut des électrons depuis un état localisé au niveau de Fermi vers la bande de conduction. En appliquant ce traitement simplifié à la capacité calculée sans approximation à l'aide de deux logiciels de simulation numérique, nous montrons que sa fiabilité et sa validité dépendent fortement de la distribution des états localisés dans la bande interdite du a-Si:H et de la position du niveau de Fermi. Puis nous abordons l'étude de la capacité des hétérojonctions entre a-Si:H de type p et c-Si de type n, et nous mettons particulièrement en avant l'existence d'une couche d'inversion forte à l'interface dans le c-Si, formant un gaz bidimensionnel de trous. Dans une première partie, nous présentons une étude par simulation numérique de la dépendance de la capacité en fonction de la température, pour laquelle un ou deux échelons peuvent être mis en évidence à basse température. Leur analyse montre qu'un des ces échelons est attribué à l'activation de la réponse de la charge dans le a-Si:H, alors que l'autre, présentant une énergie d'activation plus grande, est lié à la modulation de la concentration des trous dans la couche d'inversion forte, lorsque celle-ci existe. On présente ensuite une discussion de résultats expérimentaux. Le régime quasi-statique de la capacité fait ainsi l'objet d'une discussion. Nous mettons en relief le fait que l'approximation de la zone de déplétion ne permet pas de reproduire cette augmentation de la capacité en fonction de la température. Du fait de l'existence de la couche d'inversion forte, la chute de potentiel dans la zone de déplétion du c-Si est plus faible que la valeur déterminée par le calcul attribuant toute la chute de potentiel à la zone de déplétion. Par conséquent, cette approximation conduit à sous-estimer la capacité ainsi que son augmentation avec la température. Nous présentons alors un calcul analytique complet qui tient compte à la fois de la distribution particulière du potentiel dans le a-Si:H, et des trous dans le c-Si dont la contribution à la concentration totale de charges n'est pas négligeable dans la couche d'inversion forte. Le calcul analytique complet permet de bien reproduire les résultats expérimentaux de capacité en fonction de la température; ceci confirme la présence de la couche d'inversion forte dans les échantillons étudiés.
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Languages : fr
Pages : 0
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Les travaux développés dans cette thèse sont dédiés à l'étude des propriétés électroniques de diodes Schottky de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et d'hétérojonctions entre silicium amorphe hydrogéné et silicium cristallin, a-Si:H/c-Si au moyen de spectroscopies de capacité de jonctions.Lors de la fabrication des cellules solaires à haut rendement plusieurs paramètres d'une hétérojonction a-Si:H/c-Si doivent être considérés. Premièrement, la densité d'états dans le gap du a-Si:H est d'une grande importance car il s'agit de défauts qui favorisent le piégeage et la recombinaison de porteurs. Deuxièmement, la détermination des désaccords des bandes entre la couche amorphe et la couche cristalline est indispensable puisque ceux-ci contrôlent le transport à travers la jonction et déterminent la courbure des bandes dans c-Si, ce qui va notamment influencer la recombinaison des porteurs sous lumière, donc la tension de circuit ouvert des cellules. Cette thèse a pour but d'étudier la spectroscopie de capacité comme technique d'analyse de paramètres clés pour les dispositifs à hétérojonctions de silicium : la densité d'états dans le a-Si:H et les désaccords des bandes entre a-Si:H et c-Si.La première partie est dédiée à l'étude de la capacité de diodes Schottky. Nous nous concentrons sur un traitement simplifié de la capacité en fonction de la température et de la fréquence reposant sur une expression analytique obtenue par une résolution approchée de l'équation de Poisson. Ce traitement permet en principe d'extraire la densité d'états au niveau de Fermi dans le a-Si:H et la fréquence de saut des électrons depuis un état localisé au niveau de Fermi vers la bande de conduction. En appliquant ce traitement simplifié à la capacité calculée sans approximation à l'aide de deux logiciels de simulation numérique, nous montrons que sa fiabilité et sa validité dépendent fortement de la distribution des états localisés dans la bande interdite du a-Si:H et de la position du niveau de Fermi. Puis nous abordons l'étude de la capacité des hétérojonctions entre a-Si:H de type p et c-Si de type n, et nous mettons particulièrement en avant l'existence d'une couche d'inversion forte à l'interface dans le c-Si, formant un gaz bidimensionnel de trous. Dans une première partie, nous présentons une étude par simulation numérique de la dépendance de la capacité en fonction de la température, pour laquelle un ou deux échelons peuvent être mis en évidence à basse température. Leur analyse montre qu'un des ces échelons est attribué à l'activation de la réponse de la charge dans le a-Si:H, alors que l'autre, présentant une énergie d'activation plus grande, est lié à la modulation de la concentration des trous dans la couche d'inversion forte, lorsque celle-ci existe. On présente ensuite une discussion de résultats expérimentaux. Le régime quasi-statique de la capacité fait ainsi l'objet d'une discussion. Nous mettons en relief le fait que l'approximation de la zone de déplétion ne permet pas de reproduire cette augmentation de la capacité en fonction de la température. Du fait de l'existence de la couche d'inversion forte, la chute de potentiel dans la zone de déplétion du c-Si est plus faible que la valeur déterminée par le calcul attribuant toute la chute de potentiel à la zone de déplétion. Par conséquent, cette approximation conduit à sous-estimer la capacité ainsi que son augmentation avec la température. Nous présentons alors un calcul analytique complet qui tient compte à la fois de la distribution particulière du potentiel dans le a-Si:H, et des trous dans le c-Si dont la contribution à la concentration totale de charges n'est pas négligeable dans la couche d'inversion forte. Le calcul analytique complet permet de bien reproduire les résultats expérimentaux de capacité en fonction de la température; ceci confirme la présence de la couche d'inversion forte dans les échantillons étudiés.
Etude de la diode Schottky photovoltaïque sur silicium amorphe hydrogéné
Author: Simon Deleonibus
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Languages : fr
Pages : 112
Book Description
ETUDE DE LA CINETIQUE DES ETATS PROFONDS DANS ASIH ET DU TRANSPORT DANS LA DIODE SCHOTTKY SUR ASIH. DEFINITION D'UN NOUVEAU MOYEN DE CARACTERISATION DU PROFIL DE DENSITES D'ETATS AUTOUR DU NIVEAU DE FERMI ET ETUDE DE LA DIODE EN REGIME DE FORTE INJECTION LIMITEE PAR LA CHARGE D'ESPACE. ETUDE DES PERFORMANCES PHOTOVOLTAIQUES DES DIODES ETUDIEES ET DES EFFETS INDUITS PAR LA LUMIERE DANS ASIH
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Languages : fr
Pages : 112
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ETUDE DE LA CINETIQUE DES ETATS PROFONDS DANS ASIH ET DU TRANSPORT DANS LA DIODE SCHOTTKY SUR ASIH. DEFINITION D'UN NOUVEAU MOYEN DE CARACTERISATION DU PROFIL DE DENSITES D'ETATS AUTOUR DU NIVEAU DE FERMI ET ETUDE DE LA DIODE EN REGIME DE FORTE INJECTION LIMITEE PAR LA CHARGE D'ESPACE. ETUDE DES PERFORMANCES PHOTOVOLTAIQUES DES DIODES ETUDIEES ET DES EFFETS INDUITS PAR LA LUMIERE DANS ASIH
Diode Schottky sur silicium amorphe hydrogéné
Author: Didier Jousse
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Languages : fr
Pages : 109
Book Description
RAPPELS THEORIQUES SUR LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. ETUDE THEORIQUE DE LA DIODE SCHOTTKY SUR SIH. PREPARATION DU MATERIAU ET DES DIODES. CARACTERISATION ELECTRIQUE DES DIODES. PERFORMANCES PHOTOVOLTAIQUES. EFFET D'UN ECLAIREMENT PLUS OU MOINS PROLONGE
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Languages : fr
Pages : 109
Book Description
RAPPELS THEORIQUES SUR LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. ETUDE THEORIQUE DE LA DIODE SCHOTTKY SUR SIH. PREPARATION DU MATERIAU ET DES DIODES. CARACTERISATION ELECTRIQUE DES DIODES. PERFORMANCES PHOTOVOLTAIQUES. EFFET D'UN ECLAIREMENT PLUS OU MOINS PROLONGE
Diode Schottky sur silicium amorphe hydrogéné
Caracterisation de l'interface Silicium amorphe-Nitrure de silicium et etude de structures (Metal-a - SiN : H-a - Si : H) pour l'application en capteurs d'images
CONTRIBUTION A LA CARACTERISATION DES DIODES SCHOTTKY OXYDEES
Author: KHALED.. BOULKROUN
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Category :
Languages : fr
Pages : 164
Book Description
L'ACTION DE L'INTERFACE ISOLANT-(N) IN P DANS LES STRUCTURES SCHOTTKY-MIS OU L'ISOLANT EST UN OXYDE FORME DANS UN PLASMA MULTI-POLAIRE D'OXYGENE EST EXAMINEE. L'ETUDE EST ESSENTIELLEMENT ASSUREE PAR DES METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUE DEVELOPPEES AFIN DE TENIR COMPTE DE L'ASPECT NON IDEAL DE CES STRUCTURES. UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORT, TRES VARIES DANS CES STRUCTURES, EST ACQUISE A L'AIDE DES MESURES ELECTRIQUES I(V), C(V) ET LA CONDUCTANCE A DIFFERENTES TEMPERATURES. DES CORRELATIONS SONT ETABLIES ENTRE LES DIFFERENTS PARAMETRES DE LA STRUCTURE (FACTEUR D'IDEALITE, DENSITE D'ETATS D'INTERFACE, RESISTANCE SERIE, HAUTEUR DE LA BARRIERE,) ET LES MECANISMES DE CONDUCTION A L'INTERFACE ET DANS LA COUCHE D'OXYDE. LA DISTRIBUTION DE LA DENSITE D'ETAT D'INTERFACE DES STRUCTURES MIS EST EVALUEE PAR DIFFERENTES METHODES (TERMAN, DLTS ET CONDUCTANCE) AFIN DE LES COMPARER ET D'EN ETABLIR EVENTUELLEMENT UNE CERTAINE COMPLEMENTARITE
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Languages : fr
Pages : 164
Book Description
L'ACTION DE L'INTERFACE ISOLANT-(N) IN P DANS LES STRUCTURES SCHOTTKY-MIS OU L'ISOLANT EST UN OXYDE FORME DANS UN PLASMA MULTI-POLAIRE D'OXYGENE EST EXAMINEE. L'ETUDE EST ESSENTIELLEMENT ASSUREE PAR DES METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUE DEVELOPPEES AFIN DE TENIR COMPTE DE L'ASPECT NON IDEAL DE CES STRUCTURES. UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORT, TRES VARIES DANS CES STRUCTURES, EST ACQUISE A L'AIDE DES MESURES ELECTRIQUES I(V), C(V) ET LA CONDUCTANCE A DIFFERENTES TEMPERATURES. DES CORRELATIONS SONT ETABLIES ENTRE LES DIFFERENTS PARAMETRES DE LA STRUCTURE (FACTEUR D'IDEALITE, DENSITE D'ETATS D'INTERFACE, RESISTANCE SERIE, HAUTEUR DE LA BARRIERE,) ET LES MECANISMES DE CONDUCTION A L'INTERFACE ET DANS LA COUCHE D'OXYDE. LA DISTRIBUTION DE LA DENSITE D'ETAT D'INTERFACE DES STRUCTURES MIS EST EVALUEE PAR DIFFERENTES METHODES (TERMAN, DLTS ET CONDUCTANCE) AFIN DE LES COMPARER ET D'EN ETABLIR EVENTUELLEMENT UNE CERTAINE COMPLEMENTARITE
DIODES SCHOTTKY SUR SILICIUM AMORPHE HYDROGENE
Author: Tahar Abachi
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Category :
Languages : fr
Pages : 227
Book Description
DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DEPOSEES PAR DECHARGE PLASMA ONT ETE CARACTERISEES PAR MESURES D'ABSORPTIONS OPTIQUE, IR, DE SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS (ESCA XPS), DE RESISTIVITE ET DE POUVOIR THERMOELECTRIQUE AINSI QUE PAR ETUDE DE DIODES SCHOTTKY
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Category :
Languages : fr
Pages : 227
Book Description
DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DEPOSEES PAR DECHARGE PLASMA ONT ETE CARACTERISEES PAR MESURES D'ABSORPTIONS OPTIQUE, IR, DE SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS (ESCA XPS), DE RESISTIVITE ET DE POUVOIR THERMOELECTRIQUE AINSI QUE PAR ETUDE DE DIODES SCHOTTKY