Contribution à l'étude de la diffusion d'impuretés dans le silicium sous oxydation PDF Download
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ANALYSE DES INSUFFISANCES DES THEORIES RELATIVES A LA DIFFUSION DES IMPURETES ET A L'EVOLUTION DES DEFAUTS D'EMPILEMENT SOUS CONTRAINTE. L'INTRODUCTION DE LA DIFFUSION COUPLEE DES DEFAUTS PONCTUELS PERMET DE DECRIRE L'EXPANSION 3D DE L'EFFET D'OED-ORD
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ANALYSE DES INSUFFISANCES DES THEORIES RELATIVES A LA DIFFUSION DES IMPURETES ET A L'EVOLUTION DES DEFAUTS D'EMPILEMENT SOUS CONTRAINTE. L'INTRODUCTION DE LA DIFFUSION COUPLEE DES DEFAUTS PONCTUELS PERMET DE DECRIRE L'EXPANSION 3D DE L'EFFET D'OED-ORD
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DANS UNE PREMIERE PARTIE, CETTE ETUDE TRAITE DES ELEMENTS FONDAMENTAUX UTILES A L'ANALYSE DE LA MIGRATION DES IMPURETES DANS LE SILICIUM. UNE FORMULATION GENERALE DES EQUATIONS DE TRANSPORT DANS LE CAS DU MECANISME LACUNAIRE DE MIGRATION DES IMPURETES DOPANTES EST NOTAMMENT PROPOSEE SUR LA BASE DE LA THEORIE PHENOMENOLOGIQUE DE LA DIFFUSION FONDEE SUR LA THERMODYNAMIQUE DES PROCESSUS IRREVERSIBLES. CES EQUATIONS SONT DISCUTEES A TRAVERS LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUES EXPLICITES EN TERMES DE CARACTERISTIQUES ELEMENTAIRES (CONCENTRATIONS DE DEFAUTS, INTERACTIONS LACUNE-IMPURETE, ...). LES PROPRIETES (NIVEAU(X), ELECTRIQUE(S), ENERGIE(S) DE LIAISON LACUNE-IMPURETE, ...) DES DEFAUTS PONCTUELS SONT EXHAUSTIVEMENT RAPPORTES. LES DIVERS MODELES STATISTIQUES ET APPROCHES PHENOMENOLOGIQUES PROPOSES DANS LA LITTERATURE POUR UN TEL MECANISME SONT REVUS ET CRITIQUES. LA SECONDE PARTIE DE TRAVAIL TRAITE SUR LE PLAN MACROSCOPIQUE DE LA REDISTRIBUTION, APRES IMPLANTATION, DES IMPURETES DOPANTES, L'ARSENIC ET LE BORE, DANS DES STRUCTURES SILICIUM-SUR-ISOLANT OBTENUES PAR IMPLANTATION D'OXYGENE (SIMOX). SE SITUANT DANS UNE PERIODE D'EVOLUTION DES PROCESSUS DE FABRICATION DE CES STRUCTURES, CETTE ETUDE MET EN EVIDENCE LE ROLE PREPONDERANT TENU PAR LA QUALITE DES FILMS DE SILICIUM SUR LA REDISTRIBUTION DES IMPURETES. UNE TELLE ETUDE, EGALEMENT ENTREPRISE DANS LE SILICIUM MASSIF, EST MENEE SUR LA BASE D'UN PARALLELE D'ANALYSES EXPERIMENTALES PHYSICO-CHIMIQUES, CRISTALLOGRAPHIQUES ET ELECTRIQUES, CECI EN CORRELATION AVEC DIVERS TRAITEMENTS PHENOMENOLOGIQUES DES RESULTATS EXPERIMENTAUX
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CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM MONOCRISTALLIN EN MILIEU ORGANIQUE ET EN MILIEU AQUEUX. LES PROPRIETES DES COUCHES D'OXYDE OBTENUES SONT ETUDIEES EN RELATION AVEC LES PARAMETRES PHYSICO-CHIMIQUES DE L'ELECTROLYSE ET EN VUE D'UNE APPLICATION EN MICROELECTRONIQUE. DANS LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL, CONSACREE A L'OXYDATION EN MILIEU ORGANIQUE, LE CHOIX DE L'ACETRONITRILE, QUI EST UN SOLVANT NON OXYGENE, A PERMIS DE DETERMINER SANS AMBIGUITE LA NATURE DE L'AGENT OXYDANT. NOUS AVONS MONTRE QUE LE TRANSPORT IONIC, PENDANT L'ELECTROLYSE, A TRAVERS LA COUCHE D'OXYDE S'EFFECTUE PAR UN MECANISME DE CONDUCTION PAR SAUTS. LES COUCHES D'OXYDE OBTENUES EN MILIEU ORGANIQUE SONT SOUS CERTAINS ASPECTS COMPARABLES A CELLES OBTENUES PAR OXYDATION THERMIQUE. CEPENDANT, IL A ETE MIS EN EVIDENCE UNE FORTE DENSITE DE CHARGES FIXES ATTRIBUEE A LA CONTAMINATION DE L'OXYDE PAR LES PRODUITS D'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SOLVANT. LES 2EME ET 3EME PARTIES SONT CONSACREES A L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. APRES UNE ETUDE DU SYSTEME SILICIUM/SOLUTION, NOUS DISCUTONS, DANS LA 2EME PARTIE, LES MECANISMES MIS EN JEU PENDANT L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. LA 3EME PARTIE EST CONSACREE A L'ELABORATION DE COUCHES D'OXYDE DANS L'EAU ULTRA PURE ET A LEUR CARACTERISATION. DES COUCHES TRES HOMOGENES, DANS LA GAMME 2 A 10 NM PEUVENT ETRE FACILEMENT OBTENUES. LEURS QUALITES SONT TOUT A FAIT CONFORMES A CELLES REQUISES PAR UN DIELECTRIQUE DE GRILLE EN MICROELECTRONIQUE
Author: Abdellah Mir Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 176
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L'objectif de ce travail est d'apporter une contribution à l'étude des mécanismes de création des défauts dans les structures MOS (métal oxyde semiconducteur). Nous avons analysé la génération des défauts à l'interface silicium-oxyde de silicium (si-sio2) et dans les oxydes de grille (sio2) épais (>30 nm) et minces (
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L'OBJECTIF DE CE MEMOIRE EST D'EXAMINER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LES RECUITS THERMIQUES RAPIDES CONCERNANT LA DIFFUSION DU BORE IMPLANTE DANS LE SILICIUM ET LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE, IL EST MONTRE QU'UN FOUR DE RECUIT RAPIDE CORRESPOND BIEN AUX MACHINES SUSCEPTIBLES D'ETRE INTEGREES DANS LES SALLES BLANCHES DU FUTUR: AUTOMATIQUES, ROBOTISEES ET ASSURANT UN ENVIRONNEMENT ULTRAPROPRE AUX PLAQUETTES TRAITEES. LES PROBLEMES LIES A LA MESURE DE LA TEMPERATURE ET AU CONTROLE DE SON HOMOGENEITE SONT ENSUITE MIS EN EVIDENCE. DES SOLUTIONS SONT PROPOSEES, COMME L'UTILISATION DE SUSCEPTEURS OU BIEN CELLE D'UN PORTE-SUBSTRAT COMPORTANT DES ECRANS. DEUX APPLICATIONS SONT ALORS ABORDEES: LE RECUIT DE BORE IMPLANTE ET L'OXYDATION RAPIDE DU SILIIUM. LA PREMIERE CONFIRME LA PRESENCE D'UN PHENOMENE DE DIFFUSION ACCELEREE DANS LA PHASE INITIALE DU RECUIT, AYANT POUR ORIGINE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION. CE MECANISME FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE DETAILLEE, PUIS DES TECHNIQUES PERMETTANT DE S'EN AFFRANCHIR SONT SUGGEREES: PRE-AMORPHISATION DU SILICIUM OU IMPLANTATION DE BF2. DANS LA SECONDE, LA CROISSANCE DES PREMIERES COUCHES DE SILICE EST ANALYSEE EN FONCTION DES CINETIQUES D'OXYDATION. L'INFLUENCE DU NETTOYAGE PRE-OXYDATION ET DU RECUIT POST-OXYDATION SUR LA QUALITE DES OXYDES OBTENUS, EST EGALEMENT ETABLIE. ENFIN, L'ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE SOUS OXYDATION RAPIDE PERMET DE VERIFIER QU'ELLE EST ACCELEREE COMME DANS LE CAS D'OXYDATIONS CLASSIQUES, CAR ELLE EST CORRELEE A LA VITESSE DE CROISSANCE DE L'OXYDE
Author: JEAN-LUC.. MAURICE Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
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LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES JOINTS DE GRAINS, DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN, SONT TRES SENSIBLES A LA NATURE DES MICROPRECIPITES D'IMPURETES QU'ILS CONTIENNENT. CES PRECIPITES FORMENT DEUX CLASSES BIEN DISTINCTES: I) LES PRECIPITES METALLIQUES, FORMES DE SILICIURES DE METAUX DE TRANSITION (FE, NI, CU), QUI ONT UNE INFLUENCE DETERMINANTE SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DE JOINTS, ET II) LES PRECIPITES ISOLANTS, A BASE D'OXYDE OU D'OXYNITRURE DE SILICIUM, QUI ONT UNE INFLUENCE BEAUCOUP PLUS FAIBLE
Author: Pierre Steinmetz Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 88
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La siliciuration superficielle est une méthode intéressante de protection du molybdène et de ses alliages contre l'oxydation à chaud. En effet, le traitement est facile à réaliser et les revêtements du disiliciure MoSi2 sont passivés dans un large domaine de température et de pression d'oxygène, grâce à la formation d'un film de silice. Si l'on excepte les risques d'accidents mécaniques provoquant la fissuration ou le décollement des revêtements, ce système de protection présente toutefois deux inconvénients : - il est thermodynamiquement instable et évolue par diffusion à l'état solide avec formation de composés intermédiaires [...] qui sont beaucoup plus oxydables que le disiliciure [...] ; - il résiste moins bien aux cycles thermiques qu'aux chauffages isothermes, probablement à cause de la différence entre les coefficients de dilatation du disiliciure et de la silice [...]. C'est en vue d'atténuer ces défauts que nous avons étudié des revêtements ternaires associant le silicium au carbone et au germanium.
Author: Emmanuel Scheid
Author: Emmanuel Scheid
Author: Pascal Normand
Author: Pascal Normand
Author: AOMAR.. HALIMAOUI
Author: Abdellah Mir
Author: Abdellah Mir
Author: Francois Marou
Author: Jean-Claude Pfister
Author: JEAN-LUC.. MAURICE
Author: Pierre Steinmetz