CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA DIFFUSION ASSISTEE DE BORE DANS LE SILICIUM PAR IMPLANTATION A CHAUD PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA DIFFUSION ASSISTEE DE BORE DANS LE SILICIUM PAR IMPLANTATION A CHAUD PDF full book. Access full book title CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA DIFFUSION ASSISTEE DE BORE DANS LE SILICIUM PAR IMPLANTATION A CHAUD by Jean-Jacques Aubert. Download full books in PDF and EPUB format.
Book Description
L'ETUDE PORTE SUR LA DIFFUSION ASSISTEE DU BORE PAR IMPLANTATION A CHAUD. LORS DE L'IMPLANTATION, LES COUCHES IMPLANTEES SONT AMORPHISEES ET IL EST NECESSAIRE D'EFFECTUER DES RECUITS POST IMPLANTATION POUR RESTAURER LE CRISTAL ET ELIMINER LES DEFAUTS. DANS L'IMPLANTATION, LES SUBSTRATS PORTES IN SITU A HAUTE TEMPERATURE, LES DEFAUTS ASSISTENT LA DIFFUSION. ON MONTRE QUE LA CREATION D'UN COMPLEXE BORE DEFAUT EST RESPONSABLE DE L'AVANCEE ANORMALE DE JONCTION. L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES QUI DANS LE CAS CLASSIQUE NECESSITE DES TEMPERATURES ELEVEES ET DES TEMPS LONGS ATTEINT 30% PENDANT L'IMPLANTATION ELLE-MEME. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS SONT EXPLIQUES PAR UN MODELE PHYSIQUE CONSISTANT EN LA RESOLUTION SIMULTANEE DES EQUATIONS DE DIFFUSION DU BORE SUBSTITUTIONNEL, DES LACUNES ET DES COMPLEXES BORE-LACUNE
Book Description
L'ETUDE PORTE SUR LA DIFFUSION ASSISTEE DU BORE PAR IMPLANTATION A CHAUD. LORS DE L'IMPLANTATION, LES COUCHES IMPLANTEES SONT AMORPHISEES ET IL EST NECESSAIRE D'EFFECTUER DES RECUITS POST IMPLANTATION POUR RESTAURER LE CRISTAL ET ELIMINER LES DEFAUTS. DANS L'IMPLANTATION, LES SUBSTRATS PORTES IN SITU A HAUTE TEMPERATURE, LES DEFAUTS ASSISTENT LA DIFFUSION. ON MONTRE QUE LA CREATION D'UN COMPLEXE BORE DEFAUT EST RESPONSABLE DE L'AVANCEE ANORMALE DE JONCTION. L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES QUI DANS LE CAS CLASSIQUE NECESSITE DES TEMPERATURES ELEVEES ET DES TEMPS LONGS ATTEINT 30% PENDANT L'IMPLANTATION ELLE-MEME. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS SONT EXPLIQUES PAR UN MODELE PHYSIQUE CONSISTANT EN LA RESOLUTION SIMULTANEE DES EQUATIONS DE DIFFUSION DU BORE SUBSTITUTIONNEL, DES LACUNES ET DES COMPLEXES BORE-LACUNE
Book Description
CE MEMOIRE PRESENTE UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA FORMATION DE JONCTIONS ULTRA-MINCES PAR IMPLANTATION DE BORE DANS DU SILICIUM PREAMORPHISE SUIVIE D'UN RECUIT THERMIQUE RAPIDE. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS RAPPELONS LES AVANTAGES APPORTES PAR UNE ETAPE DE PREAMORPHISATION: SUPPRESSION DES EFFETS DE CANALISATION DU BORE ET ACTIVATION ELECTRIQUE COMPLETE DES DOPANTS. MALHEUREUSEMENT, LORS DU RECUIT, DES DEFAUTS ETENDUS, APPELES DEFAUTS EOR, APPARAISSENT SOUS L'ANCIENNE INTERFACE SILICIUM AMORPHE/SILICIUM CRISTALLIN. NOUS AVONS IDENTIFIE CES DEFAUTS DANS LA DEUXIEME PARTIE DE NOTRE TRAVAIL: IL S'AGIT DE BOUCLES DE DISLOCATION CIRCULAIRES FAUTEES ET DE BOUCLES PARFAITES ALLONGEES TOUTES DE NATURE INTERSTITIELLE ET CONTENUES DANS DES PLANS (111). NOUS MONTRONS EGALEMENT QUE SEUL LE MODELE DES EXCES D'INTERSTITIELS PERMET D'EXPLIQUER SEMIQUANTITATIVEMENT LA VARIATION DE LA DENSITE DE CES BOUCLES EN FONCTION DES CONDITIONS DE PREAMORPHISATION. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE EN COMPARANT DES PROFILS DE DIFFUSION ISSUS DE SIMULATIONS ET DES PROFILS SIMS, L'INFLUENCE DES DEFAUTS EOR SUR LA DIFFUSION DU BORE: DIFFUSION ANORMALE ET PIEGEAGE DU BORE. NOUS PROPOSONS UN MODELE SIMPLE QUI PERMET DE RENDRE COMPTE DE CES EFFETS SUR LA DIFFUSION DU BORE. ENFIN, NOUS AVONS CARACTERISE ELECTRIQUEMENT EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DES DIODES P+/N ET NOUS MONTRONS QUE LES DEFAUTS EOR SITUES DANS LA ZONE ACTIVE DE LA JONCTION JOUENT LE ROLE DE CENTRES RECOMBINANTS ET SONT RESPONSABLES DE L'AUGMENTATION DU COURANT EN INVERSE. TOUS CES RESULTATS NOUS ONT PERMIS DE PROPOSER LES CONDITIONS DE PREAMORPHISATION, D'IMPLANTATION ET DE RECUIT CONDUISANT A LA FORMATION DE JONCTIONS P+/N TRES PERFORMANTES (FACTEUR D'IDEALITE DE 1,02 ET UNE VALEUR DU COURANT INVERSE A -10V DE 5 10-#9 A/CM#2)
Book Description
DANS UNE PREMIERE PARTIE, CETTE ETUDE TRAITE DES ELEMENTS FONDAMENTAUX UTILES A L'ANALYSE DE LA MIGRATION DES IMPURETES DANS LE SILICIUM. UNE FORMULATION GENERALE DES EQUATIONS DE TRANSPORT DANS LE CAS DU MECANISME LACUNAIRE DE MIGRATION DES IMPURETES DOPANTES EST NOTAMMENT PROPOSEE SUR LA BASE DE LA THEORIE PHENOMENOLOGIQUE DE LA DIFFUSION FONDEE SUR LA THERMODYNAMIQUE DES PROCESSUS IRREVERSIBLES. CES EQUATIONS SONT DISCUTEES A TRAVERS LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUES EXPLICITES EN TERMES DE CARACTERISTIQUES ELEMENTAIRES (CONCENTRATIONS DE DEFAUTS, INTERACTIONS LACUNE-IMPURETE, ...). LES PROPRIETES (NIVEAU(X), ELECTRIQUE(S), ENERGIE(S) DE LIAISON LACUNE-IMPURETE, ...) DES DEFAUTS PONCTUELS SONT EXHAUSTIVEMENT RAPPORTES. LES DIVERS MODELES STATISTIQUES ET APPROCHES PHENOMENOLOGIQUES PROPOSES DANS LA LITTERATURE POUR UN TEL MECANISME SONT REVUS ET CRITIQUES. LA SECONDE PARTIE DE TRAVAIL TRAITE SUR LE PLAN MACROSCOPIQUE DE LA REDISTRIBUTION, APRES IMPLANTATION, DES IMPURETES DOPANTES, L'ARSENIC ET LE BORE, DANS DES STRUCTURES SILICIUM-SUR-ISOLANT OBTENUES PAR IMPLANTATION D'OXYGENE (SIMOX). SE SITUANT DANS UNE PERIODE D'EVOLUTION DES PROCESSUS DE FABRICATION DE CES STRUCTURES, CETTE ETUDE MET EN EVIDENCE LE ROLE PREPONDERANT TENU PAR LA QUALITE DES FILMS DE SILICIUM SUR LA REDISTRIBUTION DES IMPURETES. UNE TELLE ETUDE, EGALEMENT ENTREPRISE DANS LE SILICIUM MASSIF, EST MENEE SUR LA BASE D'UN PARALLELE D'ANALYSES EXPERIMENTALES PHYSICO-CHIMIQUES, CRISTALLOGRAPHIQUES ET ELECTRIQUES, CECI EN CORRELATION AVEC DIVERS TRAITEMENTS PHENOMENOLOGIQUES DES RESULTATS EXPERIMENTAUX
Author: Eric Vandenbossche Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 196
Book Description
Les phenomenes de diffusion des dopants dans le silicium ont une importance grandissante dans les technologies actuelles et futures. En effet, les budgets thermiques diminuent avec les dimensions des dispositifs, et des phenomenes de diffusion transitoire apparaissent lors de la fabrication de jonctions ultra-courtes p#+/n et n#+/p. Ce memoire traite essentiellement des mecanismes de diffusion, bases sur les reactions entre dopants et defauts ponctuels, lesquels sont les interstitiels (atomes de silicium en site interstitiel) et les lacunes (site substitutionnel vacant). La sursaturation des defauts ponctuels, generee au cours des etapes technologiques (bombardements ioniques, oxydations, nitrurations), gouverne la diffusion transitoire des dopants. Un modele general de diffusion des dopants, incluant l'ensemble des mecanismes entre dopants et defauts ponctuels en non-equilibre, constitue la base de cette etude. Ce modele est presente en detail pour l'arsenic, le phosphore et le bore. Trois applications sur la diffusion du bore et du phosphore sont presentees montrant clairement la contribution des defauts ponctuels a la diffusion transitoire de ces dopants observee experimentalement. L'originalite de ce manuscrit consiste en l'etude des phenomenes de diffusion en fortes concentrations, plus precisement appliquee au bore et dans des conditions de preamorphisation. En effet, le bore presente des phenomenes de diffusion anormaux beaucoup plus marques par rapport aux autres dopants. Trois axes d'etudes constituent le traitement presente dans ce memoire: a) modelisation des conditions initiales pour la simulation en terme de concentrations des defauts ponctuels et activation du profil de dopage implante, b) modelisation des effets des boucles de dislocations generees par les etapes d'amorphisation, ces dislocations jouent le role de puit pour les interstitiels, et c) modelisation de la precipitation du bore, par le phenomene de nucleation derive pour la premiere fois dans un modele general de diffusion.
Author: Jean-Jacques Aubert
Author: Jean-Jacques Aubert
Author: Annie Zann
Author: Younès Lamrani
Author: Annie Zann
Author: Christian.. Bergaud
Author: Pascal Normand
Author: Annie Zann
Author: Annie Zann
Author: Eric Vandenbossche
Author: