Contribution à la modélisation microonde des transistors à effet de champ sur Arseniure de Gallium soumis à un flux lumineux PDF Download
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Book Description
LES VARIATIONS DES ELEMENTS DU MODELE ELECTRIQUE EQUIVALENT EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE SONT PRESENTEES, ELLES MONTRENT QUE SEUL UN PETIT NOMBRE D'ENTRE EUX SUBISSENT UNE VARIATION SIGNIFICATIVE. LA POSSIBILITE DE COMMANDE DE LA FREQUENCE D'UN OSCILLATEUR PAR UN FLUX LUMINEUX EST MONTREE THEORIQUEMENT ET VERIFIEE EXPERIMENTALEMENT. L'ETUDE ET LA REALISATION DE DEUX AMPLIFICATEURS A BANDE ETROITE PERMETTENT DE METTRE EN EVIDENCE LA COMMANDE DU GAIN PAR LA LUMIERE AVEC UNE DYNAMIQUE POUVANT ATTEINDRE 20 DB
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LES VARIATIONS DES ELEMENTS DU MODELE ELECTRIQUE EQUIVALENT EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE SONT PRESENTEES, ELLES MONTRENT QUE SEUL UN PETIT NOMBRE D'ENTRE EUX SUBISSENT UNE VARIATION SIGNIFICATIVE. LA POSSIBILITE DE COMMANDE DE LA FREQUENCE D'UN OSCILLATEUR PAR UN FLUX LUMINEUX EST MONTREE THEORIQUEMENT ET VERIFIEE EXPERIMENTALEMENT. L'ETUDE ET LA REALISATION DE DEUX AMPLIFICATEURS A BANDE ETROITE PERMETTENT DE METTRE EN EVIDENCE LA COMMANDE DU GAIN PAR LA LUMIERE AVEC UNE DYNAMIQUE POUVANT ATTEINDRE 20 DB
Author: Pierre Pouvil Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 446
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SCHEMA ELECTRIQUE EQUIVALENT AUX FREQUENCES INFERIEURES A 1 GHZ. MODELE BASE SUR L'APPROXIMATION QUADRATIQUE DE LA FORME DE LA ZONE DEPEUPLEE SOUS LA GRILLE EN REGIME SATURE. VALIDATION DU MODELE PAR COMPARAISON ENTRE SIMULATION ET EXPERIENCES. VARIATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE, LE TRANSISTOR ETANT SOUMIS A UN FLUX LUMINEUX DONT L'ENERGIE EST SUPERIEURE A LA LARGEUR DE LA BANDE INTERDITE DU MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MESFET ILLUSTRE PAR LA REALISATION D'UN AMPLIFICATEUR ET D'UN OSCILLATEUR A COMMANDE OPTIQUE
Author: Thomas Zimmer Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 316
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UNE ETUDE SUR LA MODELISATION DES TRANSISTORS HAUTE FREQUENCE EST PRESENTEE. LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP SUR ARSENIURE DE GALLIUM (GAAS-FET) EST SIMULE PAR LE MODELE DE STATZ, CELUI DU TRANSISTOR BIPOLAIRE PAR LE MODELE GUMMEL-POON. DES NOUVELLES PROCEDURES SUR L'EXTRACTION DES PARAMETRES CRITIQUES SONT PROPOSEES AINSI QUE DES STRATEGIES D'OPTIMISATION DES PARAMETRES. ENFIN, UN MODELE PHYSIQUE ET ANALYTIQUE, DECRIVANT L'EFFET DE COUDE DANS LES GAAS-FET A ETE DEVELOPPE
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MODELE PERMETTANT D'ACCEDER AUX PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES DU TRANSISTOR DU TITRE. MODELE ADAPTE: (I) A LA RECHERCHE DE COMPOSANTS OPTIMISES (PAR EXEMPLE LES CONDITIONS OPTIMALES D'IMPLANTATION POUR LES COMPOSANTS IMPLANTES) ET (II) A LA SIMULATION DE CIRCUITS CONTENANT PLUSIEURS COMPOSANTS. RESULTATS THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX PRESENTES JUSQU'A 12 GHZ PERMETTANT D'APPRECIER LES QUALITES DU MODELE
Author: Christian Dubuc Publisher: National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada ISBN: 9780612217485 Category : Languages : fr Pages : 92
Author: Philippe André Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 0
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CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A LA CONCEPTION ET A LA REALISATION D'OSCILLATEURS INTEGRES MONOLITHIQUES MICRO-ONDES (MMIC) A BASE DE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE SCHOTTKY (MESFET) GAAS OU DE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAALAS/GAAS.
Author: Jean-Luc Gautier
Author: Jean-Luc Gautier
Author: Marc-Yves Lienhart
Author: Pierre Pouvil
Author: Thomas Zimmer
Author: Jean-Christophe Cayrou
Author: R. Soares
Author: GERARD.. MALAUSSANNE![Réalisation d'un transistor à effet de champ à grille isolée sur arséniure de gallium [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/KaEYQwAACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Christian Dubuc
Author: Philippe André
Author: Javier Gonzalez Villarruel