Author: Michel BousquetPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 153
Book Description
Contribution à la modélisation et à la caractérisation des transistors bipolaires de puissance
Author: Michel BousquetContribution à la caractérisation et à la modélisation de transistors bipolaires de puissance intégrés dans une filière BiCMOS submicronique
Author: Hélène Beckrich-RosPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 188
Book Description
L’émergence de la troisième génération de téléphone portable a fait évoluer les usages. Les utilisateurs peuvent désormais bénéficier d’un accès haut débit à l’Internet sans fil ce qui a rendu les services de communication multimedia: visiophonie, MMS, réception de programmes télévisés... Cette diversification du mode d’utilisation d’un portable a fait des amplificateurs de puissance des éléments prépondérants pour la transmission de l’information. C’est pourquoi cette étude propose une contribution à la caractérisation et à la modélisation de transistor de puissance RF intégrés dans une filière submicronique. Dans ce cadre d’application, il est important de tenir compte de l’influence de la température sur la réponse électrique d’un transistor bipolaire; cet effet est d’autant plus marqué pour les applications de puissance au regard des densités de courant mises en jeu. C’est pourquoi, une analyse des lois en température des paramètres du modèle compact HICUM/L2 est présentée, ainsi que les méthodes d’extraction associées. Puis, les phénomènes d’auto-échauffement et de couplage thermique dans les transistors de puissance sont étudiés à l’aide de simulations physiques et de caractérisations électriques pour mettre au point un modèle nodal SPICE. Finalement, les transistors de puissance sont caractérisés à l’aide de mesure load-pull en appliquant un signal à deux tons sur leur base. Ces caractéristiques sont comparées à des simulations Harmonic Balance de manière à valider le comportement grand signal du modèle HICUM/L2 et sa capacité à modéliser les phénomènes d’intermodulations fréquentielles.
Contribution à la modélisation du transistor bipolaire de puissance et implantation dans le simulateur PSpice
Author: Abassia NaimiPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 192
Book Description
Une synthèse des modèles du transistor bipolaire a servi pour l'étude de la zone active de base, des effets de forte injection, de la quasi-saturation, de l'avalanche et a permis d'élaborer des modèles du transistor bipolaire de puissance. Ces modèles ont été implantés dans le simulateur PSpice à l'aide de deux méthodes. La première consiste à intervenir au niveau des équations donnant la description du modèle implanté dans PSpice. Elle a été appliquée à trois approches de modelisation dans la zone active de base. Les résultats de simulation permettent de comparer les différentes approches. La deuxième méthode, appelée modélisation comportementale, est basée sur l'utilisation des sources de courant ou de tension non linéaires permettant la description des dispositifs à l'aide de macro-modèles.
Contribution à la modélisation et à la caractérisation en hautes fréquences des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe
Author: Bertrand ArdouinContribution à la modélisation des transistors bipolaires de puissance
Author: Alain LuccheseModélisation et caractérisation des transistors bipolaires de puissance à hétérojonction
Author: Louay DegachiPublisher:
ISBN: 9780494355107
Category :
Languages : fr
Pages : 242
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Contribution à la modélisation des transistors bipolaires de puissance
Author: Claude CavalierContribution à la modélisation des transistors bipolaires de puissance
Author: Alain Lucchese (auteur d'une thèse de sciences.)Publisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 178
Book Description
PRESENTATION D'UN MODELE COMPLET, A LA FOIS STATIQUE ET DYNAMIQUE, DE TRANSISTORS DE PUISSANCE. DEVELOPPEMENT, A PARTIR DU MODELE, D'UN OUTIL NUMERIQUE DE SIMULATION DU COMPORTEMENT DYNAMIQUE "PETITS SIGNAUX". SIMULATION NUMERIQUE DU COMPORTEMENT TRANSITOIRE LARGES SIGNAUX DES TRANSISTORS DE PUISSANCE (ORGANISATION D'UN PROGRAMME DE CALCUL INTEGRANT LE TRAITEMENT DE TOUS LES ELEMENTS, STATIQUE ET DYNAMIQUE, DU MODELE, MISE AU POINT DU PROGRAMME)
APPLICATION DU FORMALISME DE LA FONCTION DE DESCRIPTION A LA MODELISATION NON-LINEAIRE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE MICROONDE DE PUISSANCE
Author: Jean-Claude GiraudonPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 215
Book Description
LE TRAVAIL DANS CETTE ETUDE CONSISTE EN LA MISE EN PLACE DES OUTILS NECESSAIRES A L'OPTIMISATION ET A LA MESURE DES CIRCUITS NON-LINEAIRES A TRANSISTORS BIPOLAIRES. A PARTIR DU MODELE TEMPOREL THEORIQUE DE TRANSISTOR, ON A DETERMINE SON MODELE FREQUENTIEL, QUE NOUS AVONS UTILISE POUR CALCULER SES IMPEDANCES APPARENTES OPTIMALES DE CHARGES, DANS SON FONCTIONNEMENT EN AMPLIFICATEUR CLASSE C. D'AUTRE PART ON A PREPARE LES MESURES NECESSAIRES A LA MODELISATION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE
Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit
Author: Miloud AbbounPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 287
Book Description
Les avancées dans les systèmes de communication et de traitement de l'information nécessitent des circuits à haut débit qui doivent s'appuyer sur des transistors aux performances en vitesse et en puissance élevées. Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) III-V constituent un bon compromis. Le TBH-InP est l'un d'entre eux. Il convient d'autant mieux pour le développement de systèmes de télécommunications à des débits supérieurs à 60 Gbits/s que sa technologie permet l'intégration de composants optoélectroniques de longueur d'onde comprise entre 1,3 mM et 1,55 mM. Le regain d'intérêt pour ces technologies a mis en lumière les problèmes et les contraintes liés à la modélisation compacte. Le travail présenté s'inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le CNET Bagneux/OPTO+ et l'IEF. Il a pour objet l'étude expérimentale et la modélisation électrique des TBDH-InP. Quatre technologies auto-alignées qui diffèrent par la nature du dopage de base (béryllium ou carbone) et par la présence d'un gradient d'indium dans la base ont été étudiées. Pour chaque technologie un grand nombre de dispositifs a été analysé et une masse importante de données expérimentales a permis d'obtenir les paramètres du modèle de Gummel-Poon de ces composants. Ces modèles ont ensuite été utilisés par les concepteurs de circuits intégrés d'OPTO+ pour réaliser des circuits pour la logique "haut débit" (multiplexeur, circuit de décision, bascule D, driver, ...). La volumineuse base de données a également permis d'étudier l'auto-échauffement dans les TBH-InP d'abord par une approche expérimentale puis par une modélisation numérique de l'équation de Fourier. Le travail de modélisation a permis de dégager des pistes pour réduire l'auto-échauffement. Pour mieux cerner le fonctionnement physique des TBH, une analyse expérimentale à température variable a été réalisée sur une des quatre technologies. Enfin, une analyse de sensibilité des paramètres du modèle de Gummel-Poon à 300K sur le temps de commutation des paires différentielles (technologie CML/ECL) a été effectuée: -Le temps de retard t(FF) et le temps de charge R(BB),C(jC) sont les deux contributions intrinsèques les plus importantes, -L'extraction de certains paramètres du modèle est imprécise (C(jE), Rc entre autre) et se répercute sur le t(FF) on perçoit la nécessité de développer des approches fiables pour extraire ces éléments.