Contribution à la caractérisation électrique et à la simulation numérique des cellules photovoltaïques silicium à hétérojonction PDF Download
Are you looking for read ebook online? Search for your book and save it on your Kindle device, PC, phones or tablets. Download Contribution à la caractérisation électrique et à la simulation numérique des cellules photovoltaïques silicium à hétérojonction PDF full book. Access full book title Contribution à la caractérisation électrique et à la simulation numérique des cellules photovoltaïques silicium à hétérojonction by Raphaël Lachaume. Download full books in PDF and EPUB format.
Book Description
La technologie des cellules photovoltaïques silicium à hétérojonction (HET) a montré un intérêt croissant ces dernières années. En alliant les avantages des technologies couches minces et silicium cristallin (c-Si), elle permet un meilleur compromis coûts-performances que les cellules purement c-Si. Cette thèse a pour but d'améliorer la compréhension des mécanismes physiques qui régissent les performances de ces cellules, en mettant à profit des compétences spécifiques de caractérisation et de simulation issues de la microélectronique. Nos travaux se focalisent sur l'étude de la face avant de la cellule HET de type n, composée d'un empilement de couches minces d'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO) et de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). Nous commençons par une étude théorique et expérimentale de la conduction des couches d'a-Si:H en fonction de la température, du dopage et des défauts qu'elles contiennent. Prendre en compte l'équilibre dopant/défaut de ces couches est primordial mais nous montrons aussi que le travail de sortie des électrodes en contact, comme l'ITO, peut influer fortement sur la position du niveau de Fermi dans les films nanométriques d'a-Si:H. Nous présentons ensuite une évaluation de sept techniques de caractérisation du travail de sortie afin d'identifier les plus adaptées à l'étude de semiconducteurs dégénérés tels que l'ITO. Nous montrons notamment l'intérêt de techniques originales de la microélectronique comme les mesures de capacité C(V), de courant de fuite I(V) et de photoémission interne (IPE) sur des empilements ITO/biseau d'oxyde/silicium. Nous mettons clairement en évidence que les propriétés volumiques de l'ITO peuvent être optimisées, mais que les interfaces ont un effet prépondérant sur les valeurs de travaux de sortie effectifs (EWF) extraits. Une bonne cohérence globale a été obtenue pour les techniques C(V), I(V) et IPE sur biseau de silice (SiO2) ; les valeurs extraites ont notamment permis d'expliquer des résultats expérimentaux d'optimisation des cellules. Nous montrons que la tension de circuit ouvert (Voc) des cellules est finalement peu sensible au travail de sortie, contrairement au Facteur de Forme (FF), grâce à la couche d'a-Si:H. Plus cette dernière est dopée, défectueuse et épaisse, plus elle est capable d'écranter les variations électrostatiques d'EWF. Aussi, le travail de sortie doit être suffisamment élevé pour pouvoir réduire les épaisseurs de couche p d'a-Si:H et ainsi gagner en courant de court-circuit (Jsc) sans perdre en FF ni Voc. Enfin, il nous a été possible d'appliquer cette méthodologie à d'autres oxydes transparents conducteurs (TCO) que l'ITO. Le meilleur candidat de remplacement de l'ITO doit non seulement présenter une transparence optique élevée, être un bon conducteur et avoir un fort travail de sortie effectif, mais il faut également prêter une attention particulière à la dégradation éventuelle des interfaces causée par les techniques de dépôt.
Book Description
La technologie des cellules photovoltaïques silicium à hétérojonction (HET) a montré un intérêt croissant ces dernières années. En alliant les avantages des technologies couches minces et silicium cristallin (c-Si), elle permet un meilleur compromis coûts-performances que les cellules purement c-Si. Cette thèse a pour but d'améliorer la compréhension des mécanismes physiques qui régissent les performances de ces cellules, en mettant à profit des compétences spécifiques de caractérisation et de simulation issues de la microélectronique. Nos travaux se focalisent sur l'étude de la face avant de la cellule HET de type n, composée d'un empilement de couches minces d'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO) et de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). Nous commençons par une étude théorique et expérimentale de la conduction des couches d'a-Si:H en fonction de la température, du dopage et des défauts qu'elles contiennent. Prendre en compte l'équilibre dopant/défaut de ces couches est primordial mais nous montrons aussi que le travail de sortie des électrodes en contact, comme l'ITO, peut influer fortement sur la position du niveau de Fermi dans les films nanométriques d'a-Si:H. Nous présentons ensuite une évaluation de sept techniques de caractérisation du travail de sortie afin d'identifier les plus adaptées à l'étude de semiconducteurs dégénérés tels que l'ITO. Nous montrons notamment l'intérêt de techniques originales de la microélectronique comme les mesures de capacité C(V), de courant de fuite I(V) et de photoémission interne (IPE) sur des empilements ITO/biseau d'oxyde/silicium. Nous mettons clairement en évidence que les propriétés volumiques de l'ITO peuvent être optimisées, mais que les interfaces ont un effet prépondérant sur les valeurs de travaux de sortie effectifs (EWF) extraits. Une bonne cohérence globale a été obtenue pour les techniques C(V), I(V) et IPE sur biseau de silice (SiO2) ; les valeurs extraites ont notamment permis d'expliquer des résultats expérimentaux d'optimisation des cellules. Nous montrons que la tension de circuit ouvert (Voc) des cellules est finalement peu sensible au travail de sortie, contrairement au Facteur de Forme (FF), grâce à la couche d'a-Si:H. Plus cette dernière est dopée, défectueuse et épaisse, plus elle est capable d'écranter les variations électrostatiques d'EWF. Aussi, le travail de sortie doit être suffisamment élevé pour pouvoir réduire les épaisseurs de couche p d'a-Si:H et ainsi gagner en courant de court-circuit (Jsc) sans perdre en FF ni Voc. Enfin, il nous a été possible d'appliquer cette méthodologie à d'autres oxydes transparents conducteurs (TCO) que l'ITO. Le meilleur candidat de remplacement de l'ITO doit non seulement présenter une transparence optique élevée, être un bon conducteur et avoir un fort travail de sortie effectif, mais il faut également prêter une attention particulière à la dégradation éventuelle des interfaces causée par les techniques de dépôt.
Author: Alexandra Levtchenko Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 0
Book Description
Dans le contexte de la recherche sur l'amélioration des performances et la réduction des coûts des cellules solaires à base de silicium, nous nous sommes intéréssés dans cette thèse aux hétérojonctions entre le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si). Nous avons étudié d'une part l'application de la technique de mesure du PhotoCourant Modulé (MPC) comme outil de caractérisation de l'interface a-Si:H/c-Si et que nous avons couplé à la technique de mesure de PhotoLuminescence Modulée (MPL) déjà largement utilisée pour étudier la qualité de passivation de l'interface. Nous avons alors caractérisé par ces deux techniques une série d'échantillons composées de (p)a-Si:H/(i)a-Si:H/(n)c-Si d'épaisseur de (i)a-Si:H allant de 2 à 50 nm. Une partie importante de cette étude a été réalisée par simulations numériques en 2D afin d'interpréter nos résultats expérimentaux. Une cohérence dans l'estimation de la densité d'état de défauts à l'interface a-Si:H/c-Si a été obtenue par les deux techniques. Nous avons conçu d'autre part un outil de couplage des simulations électriques et optiques pour le design de cellules à base de nanofils à hétérojonction. Grâce à cet outil nous avons réalisé une étude plus réaliste et plus complète qu'auparavant où ces deux simulations étaient effectuées de manière séparée. Nous montrons notamment comment les conditions sur les contacts électriques des nanofils affectent les performances de la cellule solaire.
Book Description
Les cellules silicium à hétérojonctions et à structure interdigitée en face arrière résultent de la combinaison d'une architecture innovante (structure à contacts arrières) et de la technologie silicium à hétérojonction silicium cristallin (c-Si)/ silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) ayant un potentiel bien au delà de 20 % de rendement. Ce type de cellules possède un réel potentiel pour suivre les deux grandes tendances du marché photovoltaïque pour augmenter la production à savoir la réduction drastique des coûts de fabrication ( 1€/Wc) et l'obtention de hauts rendements ( 20 %). Les recherches effectuées au cours de cette thèse ont consisté à mettre en place un modèle pour simuler et étudier le fonctionnement de ce type de cellules. Pour ce travail, nous avons utilisé le simulateur numérique ATLAS de Silvaco originellement destiné à la communauté de la microélectronique pour étudier le fonctionnement des cellules photovoltaïques silicium à hétérojonctions. Ce travail a permis de mettre en place un modèle permettant d'étudier et de déterminer l'influence des différents paramètres aussi bien électriques que géométriques dans le fonctionnement des cellules interdigitées à hétérojonctions. La passivation de la surface avant de c-Si, la passivation des hétéro-interfaces c-Si/a-Si:H et un substrat c-Si de bonne qualité constituent les paramètres critiques qui peuvent fortement limiter les performances de ce type de cellule. Les performances des cellules réalisées expérimentalement sur substrat c-Si de type n sont caractérisées par un faible facteur de forme qui constitue la limitation actuelle. Les simulations ont permis de déterminer l'origine de cette limitation qui s'explique par l'existence de pertes résistives au niveau du contact métal/Emetteur (a-Si:H(p)). Les pistes d'amélioration du contact métal/Emetteur (a-Si:H(p)) proposées sont l'augmentation du taux de couverture et le choix d'un métal mieux adapté (Palladium par exemple). Ce modèle sera d'un apport certain pour l'optimisation des performances de cette structure innovante.
Author: Samah Ibrahim Publisher: ISBN: Category : Languages : en Pages : 16
Book Description
This thesis is intended to contribute to the existing body of knowledge concerning the high efficiency a-Si:H/c-Si solar cells, and how to optimise their performances. This is accomplished through the development of a one dimensional numerical simulation tool that helps us to preview the performance a solar cell structure and simulate the results of electrical characterisation. It permits the analysis of the behavior of a many-Iayered hetero-structure under steady state conditions, in the dark as well as under illuminations. We have also added a special module in order to study the dynamic behavior of the structures under harmonic perturbation. This allows us to calculate the capacitance of the studied device. The simulation code has been applied to compare the two characterization techniques for hetero-structures: diffusion capacitance measurements, and photoluminescence measurements. The comparison between the sensibilities of each method to detect interface defects is established by simulating the behavior of solar cell structures having different interface parameters.
Book Description
Rappel des principes de base de l'effet photovoltai͏̈que et paramètres physiques utilisés dans les programmes de calcul. Analyse des divers facteurs de perte qui limitent le RDT de la cellule solaire. Modèle de simulation sur ordinateur des cellules solaires en tenant compte des paramètres physiques et géométriques pour SI monocristallin et polycristallin. Modèle mathématique de la jonction N**(+)P Polycristalline. Procédés technologiques utilisés pour la réalisation des études (capacités MOS, cellules solaires). Etudes des cellules en SI polycristallin (étude de caractérisation électrique et optique, ce qui nous permet de connaître QQ paramètres physiques tels que durée de vie dans le substrat et rendement de conversion énergétique)
Author: Michel Mai͏̈ga Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 70
Book Description
Principes de base de l'effet photovoltaïque. Paramètres physiques utilisés dans l'étude de la réponse spectrale. Calcul du courant photoélectrique de court-circuit à l'aide d'un modèle unidimensionnel.Etude de sensibilité de la réponse spectrale aux paramètres physiques. Etudes de cellules solaires au silicium. A GAAS et à hétérojonction PGA : (1-Y)AL::(1)AS-PGAAS-N-GAAS.
Author: Sylvain De Vecchi Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 0
Book Description
Cette thèse est axée sur la fabrication et l'optimisation d'une nouvelle structure permettant théoriquement d'améliorer les performances des cellules à base de silicium cristallin. Cette nouvelle architecture de cellule utilise la technologie des hétérojonctions de silicium a-Si:H/ c-Si (Si-HJ) appliquée sur des structures à contacts interdigités en face arrière (IBC). Le potentiel de rendement des cellules IBC Si-HJ est supérieur à 25%, mais leur fabrication nécessite une localisation des couches de a-Si:H de dopage différent et de leurs métallisations. L'intégration de ces étapes dans un procédé simplifié utilisant des techniques industrielles (PECVD, pulvérisation, sérigraphie et laser) a été étudiée. De plus, une structure obtenue sans séparation entre le BSF et l'émetteur est présentée, permettant de réduire le nombre d'étapes de fabrication. Les avantages ainsi que les limites liés à cette architecture simplifiée ont été illustrés du point de vue expérimental et par simulation. Dans le cadre de ces travaux, le rendement maximum atteint sur les dispositifs IBC Si-HJ simplifiés de 25cm2 est de 19% (substrats de type n), ce qui constitue le 3e meilleur résultat au niveau mondial. Les performances des cellules restent encore limitées par l'absorption des couches de a-Si:H utilisées pour la passivation de la face avant, et par la conductivité des couches dopées en face arrière. De nombreuses pistes d'amélioration sont explorées dans cette étude. Un procédé de métallisation innovant a également été élaboré pour le passage sur des substrats de grande taille (150cm2). Il permet de limiter les pertes résistives tout en offrant de la flexibilité au niveau de la géométrie des contacts. La mise en module de cellules ayant ce design de métallisation a ensuite été étudiée, et un module de 4 cellules IBC Si-HJ a pu être fabriqué.
Author: Oleksiy Nichiporuk (Auteur d'une thèse en Génie Electrique (2005))) Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 157
Book Description
L'énergie solaire est la source d'énergie la plus prometteuse et la plus puissante parmi les énergies renouvelables. L'électricité photovoltaïque (PV) est obtenue par transformation directe de la lumière du soleil en électricité, au moyen de cellules PV. L'objectif de ce travail est de développer des cellules PV à contacts arrières interdigités. Dans le premier chapitre, nous rappelons le principe de fonctionnement et les paramètres principaux d'une cellule PV. Dans une deuxième partie, nous expliquons les spécificités des cellules PV à contacts arrières interdigités, ainsi que les avantages et les inconvénients de telles cellules. Dans le second chapitre nous étudions le fonctionnement de cellules PV à contacts arrières interdigités par la simulation numérique dans le but d'optimiser la géométrie et les profils de dopage de la cellule. Le logiciel ISE 8.5 nous permet d'effectuer la simulation numérique en deux dimensions et d'étudier l'influence des divers paramètres sur la caractéristique courant-tension sous éclairement de la cellule. Dans un premier temps, nous présentons le principe de la simulation numérique et les modèles physiques utilisés. Dans la deuxième partie de ce chapitre, en faisant varier les paramètres d'une cellule de référence, nous analysons les résultats de la simulation. Les résultats obtenus nous permettent de tirer les conclusions concernant la structure optimale de la cellule. Le troisième chapitre concerne les techniques, les méthodes et les dispositifs de caractérisation des composant photovoltaïques : I V sous obscurité et sous éclairement, réponse spectrale, LBIC, réflectivité, thermographie infrarouge, mesures de durée de vie, etc ... Dans le quatrième chapitre nous aborderons l'élaboration des cellules photovoltaïques à contacts interdigités. Trois procédés technologiques sont mis en œuvre dans le but de développer une technologie simple pour l'élaboration des cellules avec un bon rendement. En particulier, nous développons le procédé auto aligné, qui nous permet de réaliser des cellules photovoltaïques à contacts arrières interdigités en utilisant une seule étape de lithographie. Les cellules photovoltaïques à contacts arrières interdigités étant très sensibles à la recombinaison en surface, le chapitre cinq est consacré à la passivation de la surface du silicium. Dans ce chapitre nous examinons diverses approches pour réduire la recombinaison en surface : oxyde de silicium, nitrure de silicium déposé par UVCVD, recuit sous hydrogène, variation de la barrière de potentiel à la surface par incorporation de charges dans SiO2 ou par création d'une zone de charge d'espace d'une structure MIS, création d'une couche mince de silicium poreux.
Author: Nicolas Richet Publisher: EDP Sciences ISBN: 2759820068 Category : Science Languages : fr Pages : 222
Book Description
L’énergie photovoltaïque est aujourd’hui en plein essor. La part issue des panneaux solaires dans la production d’électricité est de plus en plus importante et connaître le fonctionnement physique et les moyens de production d’une cellule solaire en silicium devient inévitable dans ce domaine. Ce livre présente le mécanisme élec...
Book Description
LE SILICIUM MULTICRISTALLIN PREPARE EN CREUSET FROID INDUCTIF EST ACTUELLEMENT L'UN DES MATERIAUX LES PLUS PROMETTEURS POUR LE PRODUCTION A GRANDE ECHELLE DE CELLULES SOLAIRES. EN TROIS ANS, CE MATERIAU DONT LES PROPRIETES ELECTRIQUES ETAIENT TRES MEDIOCRES (LONGUEURS DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES DE 30 A 35 M) A ATTEINT UNE QUALITE COMPARABLE A CELLE DES PLAQUETTES OBTENUES A PARTIR DES LINGOTS PREPARES PAR CROISSANCE DIRECTIONNELLE (L = 120 A 150 M). CES PROGRES SONT LE RESULTAT DE LA CORRELATION QUI S'EST ETABLIE ENTRE LE LABORATOIRE PREPARANT LES LINGOTS (EPM-MADYLAM-GRENOBLE) ET LES LABORATOIRES CARACTERISANT LES PLAQUETTES, DONT LPDSO-MARSEILLE. LE MATERIAU A AINSI ETE QUALIFIE POUR LA CONVERSION PHOTOVOLTAIQUE ET DES CELLULES SOLAIRES DE 100 CM 2 ONT ATTEINT PLUS DE 13% DE RENDEMENT. TOUTEFOIS CE MATERIAU PRESENTE LA PARTICULARITE D'ETRE TRES SENSIBLE AUX TRAITEMENTS THERMIQUES : LA SIMPLE DIFFUSION DE PHOSPHORE A 850\C PENDANT 20 MIN NECESSAIRE A LA REALISATION DE JONCTIONS N +P SUFFIT A FAIRE CHUTER DE 30 A 40% LES LONGUEURS DE DIFFUSION L. LES CARTOGRAPHIES DE CONTRASTE LBIC, COMME CELLES DE DUREES DE VIE, MONTRENT QUE PENDANT DES TRAITEMENTS THERMIQUES A DES TEMPERATURES SUPERIEURES A 600\C, LES RECOMBINAISONS DEVIENNENT TRES INTENSES, D'ABORD AUX JOINTS DE GRAINS, PUIS AUX DEFAUTS INTRAGRAINS. ON PEUT TOUT DE MEME TIRER PARTI DU MATERIAU EN AMINCISSANT LES PLAQUETTES, EN LES HYDROGENANT EN VOLUME ET EN PASSIVANT LES SURFACES COMME LE CONFIRMENT LES SIMULATIONS NUMERIQUES. UNE TECHNIQUE TRES PROMETTEUSE DE PASSIVATION DE SURFACE SERAIT CELLE QUI UTILISE DES JONCTIONS FLOTTANTES EN FACE ARRIERE, TANDIS QUE L'HYDROGENATION RESULTERAIT DU DEPOT D'UNE COUCHE ANTIREFLECHISSANTE DE SI 3N 4.
Author: Raphaël Lachaume
Author: Raphaël Lachaume
Author: Alexandra Levtchenko
Author: Djicknoum Diouf
Author: Samah Ibrahim
Author: Ho-Sun Chung
Author: Michel Mai͏̈ga
Author: Sylvain De Vecchi
Author: Oleksiy Nichiporuk (Auteur d'une thèse en Génie Electrique (2005)))
Author: Nicolas Richet
Author: Laurent Clerc