Author: Mohsine MenouniPublisher:
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Languages : fr
Pages : 0
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Conception et realisation d'une chaine d'emission tres haut debit a base de transistors bipolaires a heterojonction GaAs
Author: Mohsine MenouniCONCEPTION ET REALISATION DE CIRCUITS MMIC A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION APPLIQUES A LA BOUCLE A VERROUILLAGE DE PHASE
Author: JEAN-OLIVIER.. PLOUCHARTPublisher:
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Languages : fr
Pages : 243
Book Description
CE TRAVAIL MONTRE LA DEMARCHE SUIVIE POUR CONCEVOIR ET REALISER DES CIRCUITS MMIC A BASE DE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION. LE TBH GAAS/GAA1AS EST PRESENTE D'UN POINT DE VUE THEORIQUE, EN DECRIVANT LES PHENOMENES PHYSIQUES INTERVENANT LORS DE SON FONCTIONNEMENT. LE TRANSISTOR EST MODELISE DANS LES DOMAINES LINEAIRES ET NON-LINEAIRE POUR LA CONCEPTION DES MMIC. LES CIRCUITS RADIOFREQUENCES INTERVENANT DANS LES RADIOTELEPHONES DE 2 GENERATION, ET LES CIRCUITS RAPIDES DES LIAISONS A HAUT DEBIT PAR FIBRE OPTIQUE SONT DECRITS. LE PRINCIPE DE LA PLL ET SES APPLICATIONS POUR LA SYNTHESE DE FREQUENCE ET LA RECUPERATION D'HORLOGE SONT ENSUITE PRESENTES. LA FILIERE TECHNOLOGIQUE MMIC TBH A ETE SPECIFIE ET OPTIMISE DE MANIERE A REALISER EN SEULEMENT 12 ETAPES DES FONCTIONS ANALOGIQUES, NUMERIQUES ET DE PUISSANCE. NOUS AVONS OPTIMISE ET MESURE UN ENSEMBLE DE 8 MMIC POUR LES APPLICATIONS A 1,8 GHZ (RADIOTELEPHONE) ET A 10 GHZ (COMMUNICATIONS OPTIQUES HAUT DEBIT). NOUS AVONS REALISE 4 DIVISEURS DE FREQUENCE FONCTIONNANT ENTRE 1 ET 18,5 GHZ ; UN MELANGEUR LARGE BANDE AYANT UN GAIN DE CONVERSION POSITIF JUSQU'A 18,5 GHZ ; DEUX VCO FONCTIONNANT DANS LES BANDES 1,4-1,8 GHZ ET 8-11 GHZ ; UN SYNTHETISEUR DE FREQUENCE EN BANDE L. LES RESULTATS OBTENUS DEMONTRENT L'INTERET DU TBH POUR CE TYPE D'APPLICATION
CONCEPTION ET REALISATION D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR RADIOCOMMUNICATIONS
Author: CHRISTOPHE.. PINATELPublisher:
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Languages : fr
Pages : 288
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LES SYSTEMES DE RADIOCOMMUNICATION AVEC LES MOBILES FONT L'OBJET, DEPUIS QUELQUES ANNEES, DE TRAVAUX TRES IMPORTANTS. LEUR DEVELOPPEMENT NECESSITE DE RELEVER DE NOMBREUX DEFIS AUSSI BIEN ECONOMIQUES QUE TECHNIQUES. POUR ATTEINDRE UN DEVELOPPEMENT DES SERVICES MOBILES A GRANDE ECHELLE, IL FAUT QUE LES DIMENSIONS, LE POIDS, L'AUTONOMIE ET LE COUT DU TERMINAL SOIENT DES ELEMENTS ATTRACTIFS POUR L'UTILISATEUR. PARMI LES DIFFERENTS CIRCUITS INTERVENANT DANS LA CHAINE D'EMISSION-RECEPTION, LE CIRCUIT AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE REVET UNE IMPORTANCE TOUTE PARTICULIERE QUANT A L'ABAISSEMENT DE LA CONSOMMATION DU COMBINE. EN EFFET, SON AUTONOMIE DEPEND DIRECTEMENT DU RENDEMENT AJOUTE DE L'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE. PARMI LES DIFFERENTS COMPOSANTS PERMETTANT DE REALISER CES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE, LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAAS/GAALAS APPARAIT COMME UN COMPOSANT DE CHOIX POUR ATTEINDRE SOUS DE FAIBLES TENSIONS D'ALIMENTATION (
Etude et réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs
Author: Philippe BoissenotPublisher:
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Languages : fr
Pages : 187
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Cette étude s'articule suivant trois axes, couvrant un large domaine de la microélectronique. Dans un premier temps, un modèle analytique d'une hétérojonction "n p" a été développé. Associé au transistor, ce modèle permet de simuler le comportement statique et dynamique du HBT en fonction de sa structure épitaxiale. Dans un deuxième temps, un procédé technologique pour réaliser des HBT auto-alignés avec accès à la base par gravure humide a été mis au point. La métallisation de base déposée sur le tricouche du doigt d'émetteurs est retirée par "lift-off". Enfin nous présentons les méthodes mises en oeuvre pour caractériser un nouveau composant tel que le HBT : caractérisation de la structure épitaxiale et du transistor. Malgré une épaisseur de base trop importante, notre technologie permet d'atteindre des performances en fréquence relativement élevées : FT = 23 GHz, Fmax = 23 GHz et un très bon rendement sur le fonctionnement des transistors de faible taille : 80% sur plaque 2 pouces.
Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit
Author: Miloud AbbounPublisher:
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Languages : fr
Pages : 287
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Les avancées dans les systèmes de communication et de traitement de l'information nécessitent des circuits à haut débit qui doivent s'appuyer sur des transistors aux performances en vitesse et en puissance élevées. Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) III-V constituent un bon compromis. Le TBH-InP est l'un d'entre eux. Il convient d'autant mieux pour le développement de systèmes de télécommunications à des débits supérieurs à 60 Gbits/s que sa technologie permet l'intégration de composants optoélectroniques de longueur d'onde comprise entre 1,3 mM et 1,55 mM. Le regain d'intérêt pour ces technologies a mis en lumière les problèmes et les contraintes liés à la modélisation compacte. Le travail présenté s'inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le CNET Bagneux/OPTO+ et l'IEF. Il a pour objet l'étude expérimentale et la modélisation électrique des TBDH-InP. Quatre technologies auto-alignées qui diffèrent par la nature du dopage de base (béryllium ou carbone) et par la présence d'un gradient d'indium dans la base ont été étudiées. Pour chaque technologie un grand nombre de dispositifs a été analysé et une masse importante de données expérimentales a permis d'obtenir les paramètres du modèle de Gummel-Poon de ces composants. Ces modèles ont ensuite été utilisés par les concepteurs de circuits intégrés d'OPTO+ pour réaliser des circuits pour la logique "haut débit" (multiplexeur, circuit de décision, bascule D, driver, ...). La volumineuse base de données a également permis d'étudier l'auto-échauffement dans les TBH-InP d'abord par une approche expérimentale puis par une modélisation numérique de l'équation de Fourier. Le travail de modélisation a permis de dégager des pistes pour réduire l'auto-échauffement. Pour mieux cerner le fonctionnement physique des TBH, une analyse expérimentale à température variable a été réalisée sur une des quatre technologies. Enfin, une analyse de sensibilité des paramètres du modèle de Gummel-Poon à 300K sur le temps de commutation des paires différentielles (technologie CML/ECL) a été effectuée: -Le temps de retard t(FF) et le temps de charge R(BB),C(jC) sont les deux contributions intrinsèques les plus importantes, -L'extraction de certains paramètres du modèle est imprécise (C(jE), Rc entre autre) et se répercute sur le t(FF) on perçoit la nécessité de développer des approches fiables pour extraire ces éléments.
TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION EN STRUCTURE AUTOALIGNEE POUR APPLICATION EN HYPERFREQUENCES
Author: Kaouther KétataPublisher:
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Languages : en
Pages : 268
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CETTE THESE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION D'ETAPES TECHNOLOGIQUES ELEMENTAIRES PERMETTANT LA REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS EN STRUCTURE AUTOALIGNEE POUR APPLICATIONS A TRES LARGE BANDE. L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE DE TYPE P POUR CONTACT DE BASE A ABOUTI A L'INTEGRATION DE CETTE ETAPE DANS LES PROCEDES DE FABRICATION DES TRANSISTORS, EN REMPLACEMENT DE LA DIFFUSION
Conception de transistors bipolaires à double hétérojonction GaInP/GaAs en topologie collecteur en haut pour l'amplification très forte puissance
Author: Arnaud GirardotOPTIMISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS A FORT DOPAGE DE BASE
Author: RAMZI.. BOURGUIGAPublisher:
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Languages : fr
Pages : 297
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CE TRAVAIL PORTE SUR L'OPTIMISATION DE LA STRUCTURE EPITAXIALE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAAS A FORT DOPAGE DE BASE, AFIN DE DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT ET AMELIORER AINSI LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES. LES TRAVAUX DEBUTENT PAR L'ETUDE ET LA QUALIFICATION D'UNE STRUCTURE TBH GAINP/GAAS REALISEE EN EPITAXIE PAR JET CHIMIQUE AVEC UNE BASE FORTEMENT DOPEE AU CARBONE. L'UTILISATION DU MATERIAU GAINP PERMET DE DISPOSER D'UNE GRAVURE SELECTIVE DU MESA D'EMETTEUR ET DE DIMINUER LE COURANT DE RECOMBINAISON DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EMETTEUR-BASE. UNE NOUVELLE STRUCTURE TBH AVEC UNE FINE COUCHE DE GAINP INSEREE ENTRE L'EMETTEUR EN GAALAS ET LA BASE EN GAAS A ETE ETUDIEE ET QUALIFIEE. L'EPAISSEUR DE LA COUCHE GAINP A ETE OPTIMISEE POUR REDUIRE LES RECOMBINAISONS DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EMETTEUR-BASE TOUT EN CONSERVANT UNE FAIBLE RESISTIVITE DU CONTACT DE TYPE P DEPOSE DIRECTEMENT SUR LA COUCHE DE GAINP DE TYPE N. CETTE COUCHE DE GAINP RECOUVRE LA BASE EXTRINSEQUE ET PERMET D'ELIMINER LES COURANTS DE RECOMBINAISON DE SURFACE. DANS LA PARTIE SUIVANTE, L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES DYNAMIQUES SUR LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES DU TBH A ETE ANALYSEE. NOUS AVONS DEMONTREE QUE LE TEMPS DE TRANSIT INTRINSEQUE JOUE UN ROLE PREPONDERANT. POUR DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT DANS LA BASE, NOUS AVONS OPTIMISE UNE STRUCTURE QUI COMPORTE UNE HETEROJONCTION E-B ABRUPTE ET UNE BASE GRADUELLE EN COMPOSITION. NOUS AVONS EGALEMENT ETUDIE DES STRUCTURES POUR DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT DANS LE COLLECTEUR. L'ANALYSE DU TRANSPORT DES PORTEURS DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE BASE-COLLECTEUR MONTRE L'INFLUENCE DU PHENOMENE DE SURVITESSE SUR LE TEMPS DE TRANSIT DANS CETTE ZONE. L'UTILISATION D'UN COLLECTEUR DE TYPE P OU DE TYPE P-N PERMET DE CONSERVER LES ELECTRONS EN REGIME DE SURVITESSE SUR UNE DISTANCE PLUS GRANDE DANS LE COLLECTEUR, CE QUI REDUIT LE TEMPS DE TRANSIT DES ELECTRONS. POUR VALIDER CETTE ETUDE, NOUS AVONS SPECIFIE DES STRUCTURES EPITAXIALES ET REALISE DES TBH DE PETITE DIMENSION EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA. NOUS AVONS MIS AU POINT UNE METHODOLOGIE POUR EXTRAIRE DES MESURES DYNAMIQUES LES DIFFERENTS PARAMETRES. NOUS AVONS DEMONTRE QUE LE TEMPS DE TRANSIT DANS LA BASE POUR UNE STRUCTURE TBH PRESENTANT UNE HETEROJONCTION E-B ABRUPTE ET UNE GRADUALITE DE COMPOSITION DANS LA BASE EST TRES FAIBLE, DE L'ORDRE DE 0,5 PS. CETTE VALEUR EST 60% PLUS FAIBLE QUE CELLE OBTENUE DANS UNE STRUCTURE CONVENTIONNELLE DE MEME EPAISSEUR (1,3 PS). NOUS AVONS EGALEMENT OBSERVE UNE FORTE REDUCTION DU TEMPS DE TRANSIT DANS LE COLLECTEUR POUR UNE STRUCTURE A COLLECTEUR P-N, 1,5 PS CONTRE 2,6PS POUR UNE STRUCTURE CONVENTIONNELLE, CE QUI CORRESPOND A UNE REDUCTION DE 40%
Conception et test d'inductances actives MMIC à base de transistors bipolaires à hétérojonction. Application à la réalisation de l'élément d'accord d'un oscillateur monolithique contrôlé en tension
Author: Christine ZanchiPublisher:
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Languages : fr
Pages : 16
Book Description
UNE ALTERNATIVE A L'UTILISATION D'INDUCTANCES SPIRALES POUR L'INTEGRATION DE RESONATEURS EN TECHNOLOGIE MONOLITHIQUE CONSISTE A REMPLACER CELLES-CI PAR DES CIRCUITS A FAIBLES PERTES. C'EST DANS CE CADRE QUE S'INSCRIT LE TRAVAIL QUE NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE QUI PORTE SUR LA CONCEPTION ET LA CARACTERISATION D'INDUCTANCES ACTIVES MMIC A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION. L'APPLICATION DE L'INDUCTANCE ACTIVE A LA REALISATION DU CIRCUIT D'ACCORD D'UN OSCILLATEUR CONTROLE EN TENSION (OCT) LARGE BANDE PERMET ENFIN L'EVALUATION DES POTENTIALITES D'UN TEL CIRCUIT. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACREE A LA PRESENTATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH). APRES L'EXPOSE DU PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT, DES PARTICULARITES AINSI QUE DES APPLICATIONS DE CE COMPOSANT, NOUS PRESENTONS LES MODELES NON-LINEAIRE ET LINEAIRE DU TBH RETENUS. UNE ETUDE ANALYTIQUE DE L'INDUCTANCE ACTIVE FAIT L'OBJET DU DEUXIEME CHAPITRE. UNE ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE PRELIMINAIRE FAIT RESSORTIR LES LIMITATIONS DES INDUCTANCES ACTIVES REALISEES A BASE DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (TEC), ET LES AVANTAGES APPORTES PAR L'UTILISATION DES TBHS POUR LA REALISATION DE CES CIRCUITS EST DEGAGEE. DEUX CIRCUITS SONT EXAMINES: UNE INDUCTANCE ACTIVE DE VALEUR FIXE ET UNE SECONDE DE VALEUR ACCORDABLE. LA CONCEPTION ET LE TEST DE TROIS INDUCTANCES ACTIVES MMIC REALISEES A BASE DE TBHS EN TECHNOLOGIE GAALAS/GAAS ET GAINP/GAAS SONT TRAITES DANS LA TROISIEME PARTIE. LES PERFORMANCES MESUREES SONT COMPAREES AUX RESULTATS DE SIMULATION. EN OUTRE, NOUS ETUDIONS LE COMPORTEMENT FORT SIGNAL AINSI QUE LES PERFORMANCES EN BRUIT DE L'INDUCTANCE ACTIVE CONCUE. LA DERNIERE PARTIE PRESENTE ENFIN L'APPLICATION DE L'INDUCTANCE ACTIVE A LA REALISATION DU CIRCUIT D'ACCORD D'UN OSCILLATEUR CONTROLE EN TENSION (OCT). UNE BANDE D'ACCORD SUPERIEURE A 30% AUTOUR DE LA FREQUENCE CENTRALE DE 3.6 GHZ, UNE LINEARITE DE L'ACCORD DE 110 MHZ/V, UNE PUISSANCE DE SORTIE MOYENNE DE 9 DBM ET UN BRUIT DE PHASE DE -70 DBC/HZ A 100 KHZ DE LA PORTEUSE SONT LES PERFORMANCES MOYENNES QUI ONT ETE MESUREES POUR CET OCT
MISE EN OEUVRE D'UNE METHODE DE CONCEPTION DE CIRCUITS ET MODULES A BASE DE TRANSISTORS RIPOLAIRES A HETEROJONCTION APPLIQUEE A DES CIRCUITS A 20 GBITS/S
Author: MICHEL.. BOUCHEPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 199
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CE MANUSCRIT EST CONSACRE A L'ETUDE D'UN CIRCUIT DE COMMANDE DE MODULATEUR ELECTRO-ABSORBANT (MEA) ET DE SON HYBRIDATION AVEC LE COMPOSANT ELECTRO-OPTIQUE POUR DES DEBITS ALLANT JUSQU'A 20 GBITS/S. POUR CETTE APPLICATION, NOUS AVONS UTILISE LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) SUR GAAS PUIS SUR INP, ET MIS EN PLACE UNE METHODOLOGIE QUI PREND EN COMPTE L'INTERDEPENDANCE ENTRE TOUTES LES ETAPES DE CONCEPTION. LA PREMIERE ETAPE DE NOTRE TRAVAIL NOUS A CONDUIT A MODELISER LE MEA ET LE TBH GAAS. POUR CE DERNIER, NOUS AVONS ETE AMENE A ETUDIER ET CARACTERISER LES EFFETS THERMIQUES. NOUS AVONS ENSUITE ETUDIE L'IMPACT DES PHENOMENES DE PROPAGATION ET DE COUPLAGE ENTRE LIGNES SUR LES PERFORMANCES DES CIRCUITS. NOUS AVONS PROPOSE PLUSIEURS SOLUTIONS, TANT POUR LES LIGNES DE TYPE SIGNAL QUE POUR CELLES DES ALIMENTATIONS. LA MISE EN BOITIER DE CIRCUITS RAPIDES LARGE BANDE ETANT UNE ETAPE CRITIQUE, NOUS AVONS ANALYSE PAR DES MESURES CHAQUE ELEMENT CONSTITUTIF. LES RESULTATS OBTENUS ONT ETE VALIDES PAR LA REALISATION D'UN BOITIER DE TEST DESTINE A DES CIRCUITS FONCTIONNANT A 20 GBITS/S. CES CONNAISSANCES NOUS ONT PERMIS DE DEFINIR AU MIEUX L'ARCHITECTURE DU CIRCUIT DRIVER ET DU CIRCUIT SELECTEUR DRIVER. POUR CES CIRCUITS, NOUS AVONS PRESENTE QUELQUES SOLUTIONS PERMETTANT DE LIMITER L'INFLUENCE DES FLUCTUATIONS TECHNOLOGIQUES SUR LES PERFORMANCES OBTENUES. L'ENSEMBLE DE CETTE ETUDE A ENFIN ETE VALIDE PAR LA REALISATION D'UN CIRCUIT SELECTEUR DRIVER, A BASE DE TBH INP, FOURNISSANT UNE AMPLITUDE DE 1,8 VOLTS A 20 GBITS/S. CE RESULTAT SE SITUE AU NIVEAU DE L'ETAT DE L'ART TOUTES TECHNOLOGIES CONFONDUES ET CONSTITUE, A NOTRE CONNAISSANCE, UN RECORD POUR LA TECHNOLOGIE TBH INP.