Author: Eric Kerherve
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Languages : fr
Pages : 230
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CETTE THESE TRAITE DE LA SYNTHESE D'AMPLIFICATEURS MICRO-ONDES FAIBLE BRUIT A ELEMENTS DISTRIBUES. CETTE SYNTHESE EST BASEE SUR LA METHODE SIMPLIFIEE DES FREQUENCES REELLES ASSOCIEE A UN ALGORITHME D'OPTIMISATION. ELLE PREND EN COMPTE LES ELEMENTS DE POLARISATION ET DE CONTRE-REACTION DU TRANSISTOR. APRES QUELQUES RAPPELS FONDAMENTAUX SUR LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUM, CETTE PRESENTE LE FORMALISME ADOPTE POUR L'ANALYSE DES RESEAUX COMPLEXES QUE SONT LES CIRCUITS DE POLARISATION D'UN TRANSISTOR. LE CHAPITRE CONSACRE A L'ANALYSE DU BRUIT D'UN AMPLIFICATEUR MICRO-ONDE EST SUIVI D'UNE PRESENTATION DETAILLEE DE LA METHODE SIMPLIFIEE DES FREQUENCES REELLES. APRES L'ANALYSE DES CONTRAINTES TECHNOLOGIQUES LIEES A L'UTILISATION DES LIGNES MICRO-RUBAN, LES RESULTATS DE LA SIMULATION DE TROIS AMPLIFICATEURS MICRO-ONDES FAIBLE BRUIT A ELEMENTS DISTRIBUES SONT PRESENTES. DEUX DE CES TROIS AMPLIFICATEURS AYANT FAIT L'OBJET DE REALISATIONS EXPERIMENTALES, LES RESULTATS DES MESURES PRATIQUEES SONT PRESENTES ET COMMENTES DANS UN DERNIER CHAPITRE
Conception et réalisation d'amplificateurs microondes faible bruit à éléments distribués par la méthode simplifiée des fréquences réelles
Author: Eric Kerherve
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Languages : fr
Pages : 230
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CETTE THESE TRAITE DE LA SYNTHESE D'AMPLIFICATEURS MICRO-ONDES FAIBLE BRUIT A ELEMENTS DISTRIBUES. CETTE SYNTHESE EST BASEE SUR LA METHODE SIMPLIFIEE DES FREQUENCES REELLES ASSOCIEE A UN ALGORITHME D'OPTIMISATION. ELLE PREND EN COMPTE LES ELEMENTS DE POLARISATION ET DE CONTRE-REACTION DU TRANSISTOR. APRES QUELQUES RAPPELS FONDAMENTAUX SUR LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUM, CETTE PRESENTE LE FORMALISME ADOPTE POUR L'ANALYSE DES RESEAUX COMPLEXES QUE SONT LES CIRCUITS DE POLARISATION D'UN TRANSISTOR. LE CHAPITRE CONSACRE A L'ANALYSE DU BRUIT D'UN AMPLIFICATEUR MICRO-ONDE EST SUIVI D'UNE PRESENTATION DETAILLEE DE LA METHODE SIMPLIFIEE DES FREQUENCES REELLES. APRES L'ANALYSE DES CONTRAINTES TECHNOLOGIQUES LIEES A L'UTILISATION DES LIGNES MICRO-RUBAN, LES RESULTATS DE LA SIMULATION DE TROIS AMPLIFICATEURS MICRO-ONDES FAIBLE BRUIT A ELEMENTS DISTRIBUES SONT PRESENTES. DEUX DE CES TROIS AMPLIFICATEURS AYANT FAIT L'OBJET DE REALISATIONS EXPERIMENTALES, LES RESULTATS DES MESURES PRATIQUEES SONT PRESENTES ET COMMENTES DANS UN DERNIER CHAPITRE
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Languages : fr
Pages : 230
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CETTE THESE TRAITE DE LA SYNTHESE D'AMPLIFICATEURS MICRO-ONDES FAIBLE BRUIT A ELEMENTS DISTRIBUES. CETTE SYNTHESE EST BASEE SUR LA METHODE SIMPLIFIEE DES FREQUENCES REELLES ASSOCIEE A UN ALGORITHME D'OPTIMISATION. ELLE PREND EN COMPTE LES ELEMENTS DE POLARISATION ET DE CONTRE-REACTION DU TRANSISTOR. APRES QUELQUES RAPPELS FONDAMENTAUX SUR LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUM, CETTE PRESENTE LE FORMALISME ADOPTE POUR L'ANALYSE DES RESEAUX COMPLEXES QUE SONT LES CIRCUITS DE POLARISATION D'UN TRANSISTOR. LE CHAPITRE CONSACRE A L'ANALYSE DU BRUIT D'UN AMPLIFICATEUR MICRO-ONDE EST SUIVI D'UNE PRESENTATION DETAILLEE DE LA METHODE SIMPLIFIEE DES FREQUENCES REELLES. APRES L'ANALYSE DES CONTRAINTES TECHNOLOGIQUES LIEES A L'UTILISATION DES LIGNES MICRO-RUBAN, LES RESULTATS DE LA SIMULATION DE TROIS AMPLIFICATEURS MICRO-ONDES FAIBLE BRUIT A ELEMENTS DISTRIBUES SONT PRESENTES. DEUX DE CES TROIS AMPLIFICATEURS AYANT FAIT L'OBJET DE REALISATIONS EXPERIMENTALES, LES RESULTATS DES MESURES PRATIQUEES SONT PRESENTES ET COMMENTES DANS UN DERNIER CHAPITRE
Conception et realisation d'amplificateurs microondes faible bruit a elements distribues par la methode simplifiee des frequences reelles
SYNTHESE ET REALISATION D'AMPLIFICATEURS MICRO-ONDES FAIBLE BRUIT ET TRANSIMPEDANCE PAR LA METHODE DES FREQUENCES REELLES
Author: AMBROISE.. OLOMO NGONGO
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Languages : fr
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DANS CE TRAVAIL, NOUS PRESENTONS DEUX LOGICIELS DE SYNTHESE DE QUADRIPOLES DESTINES A LA CONCEPTION DE DISPOSITIFS MICROONDES TRES LARGE BANDE. ILS SONT BASES SUR LA METHODE DES FREQUENCES REELLES. CELLE-CI, LORSQU'ELLE EST ASSOCIEE A UN ALGORITHME D'OPTIMISATION, PERMET DE CONCEVOIR LES AMPLIFICATEURS MICROONDES FAIBLE BRUIT ET TRANSIMPEDANCE. CETTE METHODE PERMET DE RESOUDRE LE PROBLEME DE LA DOUBLE ADAPTATION POUR LA CONCEPTION DES AMPLIFICATEURS MULTI-ETAGES. ELLE PREND EN COMPTE LE CARACTERE NON-UNILATERAL DU TRANSISTOR; AUCUNE MODELISATION PREALABLE DES TRANSISTORS N'EST NECESSAIRE. PAR CONSEQUENT LA CONNAISSANCE DES PARAMETRES DE REPARTITION ET DE BRUIT DU TRANSISTOR SUFFIT POUR LA SYNTHESE DES AMPLIFICATEURS. SUR LA BASE DE CETTE TECHNIQUE, LE PREMIER LOGICIEL, FREEL, A PERMIS DE CONCEVOIR UN AMPLIFICATEUR FAIBLE BRUIT (OU LE GAIN, LE BRUIT ET LE TOS SONT OPTIMISES SIMULTANEMENT) A TROIS ETAGES DANS LA BANDE 1.15-1.5 GHZ. CET AMPLIFICATEUR A DONNE LIEU A UNE REALISATION EN TECHNOLOGIE HYBRIDE. LE DEUXIEME LOGICIEL, TRANS, PERMET LA SYNTHESE D'AMPLIFICATEURS TRANSIMPEDANCE QUI SONT SOUVENT INCLUS DANS UN DISPOSITIF DE RECEPTION SUR FIBRE OPTIQUE. ICI, LE PROCESSUS D'OPTIMISATION EST APPLIQUE A UNE FONCTION DE TRANSFERT ENTRE UN INJECTEUR DE COURANT (PHOTODIODE) ET UNE CHARGE COMPLEXE. UN AMPLIFICATEUR TRANSIMPEDANCE 2-8 GHZ A ETE CONCU A L'AIDE DU LOGICIEL TRANS. DANS LES DEUX LOGICIELS, LA TOPOLOGIE DES RESEAUX D'ADAPTATION EST OPTIMALE. LA SYNTHESE DE CES DERNIERS PEUT ETRE OBTENUE EN ELEMENTS LOCALISES OU DISTRIBUES
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DANS CE TRAVAIL, NOUS PRESENTONS DEUX LOGICIELS DE SYNTHESE DE QUADRIPOLES DESTINES A LA CONCEPTION DE DISPOSITIFS MICROONDES TRES LARGE BANDE. ILS SONT BASES SUR LA METHODE DES FREQUENCES REELLES. CELLE-CI, LORSQU'ELLE EST ASSOCIEE A UN ALGORITHME D'OPTIMISATION, PERMET DE CONCEVOIR LES AMPLIFICATEURS MICROONDES FAIBLE BRUIT ET TRANSIMPEDANCE. CETTE METHODE PERMET DE RESOUDRE LE PROBLEME DE LA DOUBLE ADAPTATION POUR LA CONCEPTION DES AMPLIFICATEURS MULTI-ETAGES. ELLE PREND EN COMPTE LE CARACTERE NON-UNILATERAL DU TRANSISTOR; AUCUNE MODELISATION PREALABLE DES TRANSISTORS N'EST NECESSAIRE. PAR CONSEQUENT LA CONNAISSANCE DES PARAMETRES DE REPARTITION ET DE BRUIT DU TRANSISTOR SUFFIT POUR LA SYNTHESE DES AMPLIFICATEURS. SUR LA BASE DE CETTE TECHNIQUE, LE PREMIER LOGICIEL, FREEL, A PERMIS DE CONCEVOIR UN AMPLIFICATEUR FAIBLE BRUIT (OU LE GAIN, LE BRUIT ET LE TOS SONT OPTIMISES SIMULTANEMENT) A TROIS ETAGES DANS LA BANDE 1.15-1.5 GHZ. CET AMPLIFICATEUR A DONNE LIEU A UNE REALISATION EN TECHNOLOGIE HYBRIDE. LE DEUXIEME LOGICIEL, TRANS, PERMET LA SYNTHESE D'AMPLIFICATEURS TRANSIMPEDANCE QUI SONT SOUVENT INCLUS DANS UN DISPOSITIF DE RECEPTION SUR FIBRE OPTIQUE. ICI, LE PROCESSUS D'OPTIMISATION EST APPLIQUE A UNE FONCTION DE TRANSFERT ENTRE UN INJECTEUR DE COURANT (PHOTODIODE) ET UNE CHARGE COMPLEXE. UN AMPLIFICATEUR TRANSIMPEDANCE 2-8 GHZ A ETE CONCU A L'AIDE DU LOGICIEL TRANS. DANS LES DEUX LOGICIELS, LA TOPOLOGIE DES RESEAUX D'ADAPTATION EST OPTIMALE. LA SYNTHESE DE CES DERNIERS PEUT ETRE OBTENUE EN ELEMENTS LOCALISES OU DISTRIBUES
SYNTHESE DE RESEAUX D'ADAPTATION DISTRIBUES ET RESISTIFS PAR LA METHODE DES FREQUENCES REELLES MODIFIEE. APPLICATION A LA CONCEPTION ET A LA REALISATION D'AMPLIFICATEURS MICROONDES ULTRA-LARGE-BANDE EN TECHNOLOGIE MICRO-RUBAN
Author: Pierre-Marie Martin
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Languages : fr
Pages : 149
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DANS CE TRAVAIL NOUS PRESENTONS UNE METHODE DE CONCEPTION D'AMPLIFICATEURS MICRO-ONDES FONCTIONNANT SUR DE TRES LARGES BANDES DE FREQUENCE. LA METHODE DES FREQUENCES REELLES MODIFIEE A PERMIS L'ANALYSE DES QUADRIPOLES DISTRIBUES ET RESISTIFS QUI CONSTITUENT LES RESEAUX D'ADAPTATION DE LA CHAINE D'AMPLIFICATION. DEUX SYNTHESES PARTICULIERES ONT ETE DEVELOPPEES: LA MISE EN CASCADE D'ELEMENTS UNITAIRES ET DE RESISTANCES SERIES, ET LA MISE EN CASCADE D'ELEMENTS UNITAIRES ET DE RESISTANCES PARALLELES. LES AVANTAGES D'UNE SYNTHESE DIRECTE DE RESISTANCES DANS LES CIRCUITS D'ADAPTATION D'UN AMPLIFICATEUR A TRANSISTORS SE RESUMENT EN TROIS POINTS: LA COMPENSATION DU GAIN DES TRANSISTORS AUX BASSES FREQUENCES, LA STABILISATION DES TRANSISTORS SUR TOUTE LA BANDE PASSANTE ET LA POSSIBILITE DE POLARISATION DES TRANSISTORS AU TRAVERS DE RESISTANCE. UN ALGORITHME D'OPTIMISATION BASE SUR LE CRITERE DES MOINDRES CARRES A ETE DEVELOPPE POUR OPTIMISER SIMULTANEMENT LE GAIN ET LES TAUX D'ONDES STATIONNAIRES D'UN AMPLIFICATEUR MULTI-ETAGES. L'ENSEMBLE DE CETTE ETUDE A ABOUTI A L'ECRITURE DU LOGICIEL SYNTARD (SYNTHESE DE RESEAUX D'ADAPTATION RESISTIFS ET DISTRIBUES). TROIS MAQUETTES EXPERIMENTALES ONT ETE REALISEES EN TECHNOLOGIE MICRO-RUBAN. LES DEUX PREMIERES CONCERNENT UN AMPLIFICATEUR SIMPLE-ETAGE SUR LA BANDE 0,1 - 5 GHZ ET LA TROISIEME UN AMPLIFICATEUR DOUBLE-ETAGE SUR LA BANDE 0,1 - 9 GHZ. NOUS AVONS UTILISE LA TECHNIQUE DES COUCHES EPAISSES POUR LA REALISATION DES CONDUCTEURS ; LES RESISTANCES ETANT DU TYPE CMS ET REPORTEES SUR LE SUBSTRAT
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Languages : fr
Pages : 149
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DANS CE TRAVAIL NOUS PRESENTONS UNE METHODE DE CONCEPTION D'AMPLIFICATEURS MICRO-ONDES FONCTIONNANT SUR DE TRES LARGES BANDES DE FREQUENCE. LA METHODE DES FREQUENCES REELLES MODIFIEE A PERMIS L'ANALYSE DES QUADRIPOLES DISTRIBUES ET RESISTIFS QUI CONSTITUENT LES RESEAUX D'ADAPTATION DE LA CHAINE D'AMPLIFICATION. DEUX SYNTHESES PARTICULIERES ONT ETE DEVELOPPEES: LA MISE EN CASCADE D'ELEMENTS UNITAIRES ET DE RESISTANCES SERIES, ET LA MISE EN CASCADE D'ELEMENTS UNITAIRES ET DE RESISTANCES PARALLELES. LES AVANTAGES D'UNE SYNTHESE DIRECTE DE RESISTANCES DANS LES CIRCUITS D'ADAPTATION D'UN AMPLIFICATEUR A TRANSISTORS SE RESUMENT EN TROIS POINTS: LA COMPENSATION DU GAIN DES TRANSISTORS AUX BASSES FREQUENCES, LA STABILISATION DES TRANSISTORS SUR TOUTE LA BANDE PASSANTE ET LA POSSIBILITE DE POLARISATION DES TRANSISTORS AU TRAVERS DE RESISTANCE. UN ALGORITHME D'OPTIMISATION BASE SUR LE CRITERE DES MOINDRES CARRES A ETE DEVELOPPE POUR OPTIMISER SIMULTANEMENT LE GAIN ET LES TAUX D'ONDES STATIONNAIRES D'UN AMPLIFICATEUR MULTI-ETAGES. L'ENSEMBLE DE CETTE ETUDE A ABOUTI A L'ECRITURE DU LOGICIEL SYNTARD (SYNTHESE DE RESEAUX D'ADAPTATION RESISTIFS ET DISTRIBUES). TROIS MAQUETTES EXPERIMENTALES ONT ETE REALISEES EN TECHNOLOGIE MICRO-RUBAN. LES DEUX PREMIERES CONCERNENT UN AMPLIFICATEUR SIMPLE-ETAGE SUR LA BANDE 0,1 - 5 GHZ ET LA TROISIEME UN AMPLIFICATEUR DOUBLE-ETAGE SUR LA BANDE 0,1 - 9 GHZ. NOUS AVONS UTILISE LA TECHNIQUE DES COUCHES EPAISSES POUR LA REALISATION DES CONDUCTEURS ; LES RESISTANCES ETANT DU TYPE CMS ET REPORTEES SUR LE SUBSTRAT
Conception et réalisation d'amplificateurs micro-ondes de puissance à l'aide de la méthode des fréquences réelles
Author: Mathieu Hazouard
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Les travaux présentés dans ce mémoire sont une contribution à la conception d'amplificateurs micro-ondes de puissance. Nous présentons dans une première partie les différentes caractéristiques (grandeurs électriques, classes de fonctionnement,...) de l'amplification de puissance dans le domaine des hyperfréquences ainsi que le large spectre de transistors disponibles actuellement pour des applications de puissance. Le deuxième chapitre traite des techniques de caractérisation du fonctionnement non-linéaire des transistors de puissance. A côté de l'équilibrage harmonique ou de la caractérisation load-pull, nous proposons l'utilisation des paramètres S large signal comme méthode alternative. Ces paramètres S large signal sont une extension dans le domaine non-linéaire de la notion de paramètres S petit signal et nous permettent d'approcher la solution optimale dans le cas d'applications faiblement non-linéaires. Dans une troisième partie, nous proposons une extension de la méthode des fréquences réelles, introduite à l'origine par Yarman et Carlin, à la conception d'amplificateurs de puissance. Ainsi, nous décrivons une démarche itérative de conception d'amplificateurs multi-étages qui, dans un premier temps, optimise les performances de l'étage de puissance avant de concevoir les étages situés en amont en progressant vers le générateur. Nous avons vérifié la validité de cette démarche par la réalisation de deux amplificateurs de puissance en bande S. Un premier module a été construit autour d'un MESFET de puissance afin d'optimiser la puissance ajoutée. Un deuxième montage, basé sur trois transistors, a pour objectif d'optimiser à la fois la puissance ajoutée de l'étage de puissance et le gain linéaire des deux premiers étages.
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Languages : fr
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Les travaux présentés dans ce mémoire sont une contribution à la conception d'amplificateurs micro-ondes de puissance. Nous présentons dans une première partie les différentes caractéristiques (grandeurs électriques, classes de fonctionnement,...) de l'amplification de puissance dans le domaine des hyperfréquences ainsi que le large spectre de transistors disponibles actuellement pour des applications de puissance. Le deuxième chapitre traite des techniques de caractérisation du fonctionnement non-linéaire des transistors de puissance. A côté de l'équilibrage harmonique ou de la caractérisation load-pull, nous proposons l'utilisation des paramètres S large signal comme méthode alternative. Ces paramètres S large signal sont une extension dans le domaine non-linéaire de la notion de paramètres S petit signal et nous permettent d'approcher la solution optimale dans le cas d'applications faiblement non-linéaires. Dans une troisième partie, nous proposons une extension de la méthode des fréquences réelles, introduite à l'origine par Yarman et Carlin, à la conception d'amplificateurs de puissance. Ainsi, nous décrivons une démarche itérative de conception d'amplificateurs multi-étages qui, dans un premier temps, optimise les performances de l'étage de puissance avant de concevoir les étages situés en amont en progressant vers le générateur. Nous avons vérifié la validité de cette démarche par la réalisation de deux amplificateurs de puissance en bande S. Un premier module a été construit autour d'un MESFET de puissance afin d'optimiser la puissance ajoutée. Un deuxième montage, basé sur trois transistors, a pour objectif d'optimiser à la fois la puissance ajoutée de l'étage de puissance et le gain linéaire des deux premiers étages.
Conception et réalisation d'amplificateurs cryotechniques faible bruit à base de transistors à effet de champ dans la bande 16-20 GHz
Author: Frédéric Sejalon
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Pages : 242
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LES AMPLIFICATEURS CRYOTECHNIQUES FAIBLE BRUIT A BASE DE TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE TROUVENT DES APPLICATIONS A BORD DE SATELLITES OU SONDES SPATIALES DANS TOUT SYSTEME DONT L'ANTENNE DE RECEPTION NE VOIT PAS LA TERRE: RADIOASTRONOMIE, SCIENCES DE L'UNIVERS, LIAISONS INTER-SATELLITES. CE MEMOIRE COMPREND DONC UNE PREMIERE PARTIE CONSACREE A LA PHYSIQUE ET AU FONCTIONNNEMENT, EN PARTICULIER A BASSE TEMPERATURE, DES TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (HEMT). DANS LA SECONDE PARTIE, NOUS TRAITONS DE LA CARACTERISATION AUX TEMPERATURES CRYOGENIQUES, TANT EN PARAMETRES S QU'EN PARAMETRES DE BRUIT DES COMPOSANTS HEMT EN PUCE. UNE METHODE ORIGINALE PERMETTANT DE S'AFFRANCHIR DU GRADIENT THERMIQUE QUE SUPPORTENT LES CABLES DE LIAISON, BASEE SUR LA MESURE D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP NON POLARISE MONTE EN GRILLE COMMUNE, EST PRESENTEE. DES DIFFERENTS RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT ENSUITE EXTRAITES LES EVOLUTIONS DES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT ET DES SOURCES DE BRUIT DU TRANSISTOR EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA POLARISATION. ENFIN, NOUS ABORDONS LA CONCEPTION ET LA REALISATION DE L'AMPLIFICATEUR CRYOTECHNIQUE. APRES AVOIR SELECTIONNE LE COMPOSANT ET LA TECHNOLOGIE LES MIEUX ADAPTES AU FONCTIONNEMENT EN BASSE TEMPERATURE, NOUS DONNONS LES ELEMENTS NECESSAIRES A LA DETERMINATION D'UNE TOPOLOGIE OPTIMALE D'AMPLIFICATEUR FAIBLE BRUIT. LES RESULTATS DE SIMULATION OBTENUS SUR LES DIFFERENTS AMPLIFICATEURS REALISES AU MOYEN DE LOGICIEL D'AIDE AU DEVELOPPEMENT DE CIRCUITS MICRO-ONDES SONT PRESENTES, AVANT D'ANALYSER LES RESULTATS EXPERIMENTAUX RELEVES A LA TEMPERATURE DE L'AZOTE LIQUIDE
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Languages : fr
Pages : 242
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LES AMPLIFICATEURS CRYOTECHNIQUES FAIBLE BRUIT A BASE DE TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE TROUVENT DES APPLICATIONS A BORD DE SATELLITES OU SONDES SPATIALES DANS TOUT SYSTEME DONT L'ANTENNE DE RECEPTION NE VOIT PAS LA TERRE: RADIOASTRONOMIE, SCIENCES DE L'UNIVERS, LIAISONS INTER-SATELLITES. CE MEMOIRE COMPREND DONC UNE PREMIERE PARTIE CONSACREE A LA PHYSIQUE ET AU FONCTIONNNEMENT, EN PARTICULIER A BASSE TEMPERATURE, DES TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (HEMT). DANS LA SECONDE PARTIE, NOUS TRAITONS DE LA CARACTERISATION AUX TEMPERATURES CRYOGENIQUES, TANT EN PARAMETRES S QU'EN PARAMETRES DE BRUIT DES COMPOSANTS HEMT EN PUCE. UNE METHODE ORIGINALE PERMETTANT DE S'AFFRANCHIR DU GRADIENT THERMIQUE QUE SUPPORTENT LES CABLES DE LIAISON, BASEE SUR LA MESURE D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP NON POLARISE MONTE EN GRILLE COMMUNE, EST PRESENTEE. DES DIFFERENTS RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT ENSUITE EXTRAITES LES EVOLUTIONS DES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT ET DES SOURCES DE BRUIT DU TRANSISTOR EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA POLARISATION. ENFIN, NOUS ABORDONS LA CONCEPTION ET LA REALISATION DE L'AMPLIFICATEUR CRYOTECHNIQUE. APRES AVOIR SELECTIONNE LE COMPOSANT ET LA TECHNOLOGIE LES MIEUX ADAPTES AU FONCTIONNEMENT EN BASSE TEMPERATURE, NOUS DONNONS LES ELEMENTS NECESSAIRES A LA DETERMINATION D'UNE TOPOLOGIE OPTIMALE D'AMPLIFICATEUR FAIBLE BRUIT. LES RESULTATS DE SIMULATION OBTENUS SUR LES DIFFERENTS AMPLIFICATEURS REALISES AU MOYEN DE LOGICIEL D'AIDE AU DEVELOPPEMENT DE CIRCUITS MICRO-ONDES SONT PRESENTES, AVANT D'ANALYSER LES RESULTATS EXPERIMENTAUX RELEVES A LA TEMPERATURE DE L'AZOTE LIQUIDE
LOGICIEL D'AIDE A LA SYNTHESE D'AMPLIFICATEURS MICROONDES, FAIBLE-BRUIT, LARGE BANDE
Author: EVELYNE.. PAYAN
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Languages : fr
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LE PROBLEME DE LA SYNTHESE DE QUADRIPOLES EST OMNIPRESENT DANS LA CONCEPTION DE CIRCUITS LINEAIRES MICROONDES. DE CE FAIT, DE NOMBREUSES METHODES ONT ETE DEVELOPPEES, MAIS L'UNE DES PLUS PERFORMANTES EST LA METHODE DES FREQUENCES REELLES INITIEE PAR CARLIN EN 1977. SON ORIGINALITE RESIDE DANS LA NUMERISATION COMPLETE DES DONNEES DU PROBLEME, AINSI QUE DANS L'INUTILITE D'UNE MODELISATION PREALABLE DES ELEMENTS. ELLE CONDUIT AINSI A DES RESEAUX D'ADAPTATION DONT LA TOPOLOGIE EST OPTIMALE, CAR ISSUE DU CALCUL. L'OBJET DE NOTRE ETUDE A ETE L'ELABORATION D'UN LOGICIEL DE SYNTHESE DE QUADRIPOLES BASE SUR CETTE METHODE, ET QUI PERMET DE CONCEVOIR DES AMPLIFICATEURS MICROONDES EN CASCADE OU A RETROACTION, A UN OU PLUSIEURS ETAGES, EN ELEMENTS LOCALISES OU DISTRIBUES. LA SYNTHESE DE QUADRIPOLES EN RETROACTION SUR L'ELEMENT ACTIF A ICI ETE UTILISEE AFIN DE PERMETTRE D'ADAPTER CE DERNIER SIMULTANEMENT EN SIGNAL ET EN BRUIT, CE QUI A NECESSITE LE CALCUL DES PARAMETRES DE DISPERSION ET DE BRUIT DE QUADRIPOLES ASSOCIES EN SERIE, PARALLELE ET CASCADE. CE LOGICIEL SE REVELE ETRE UNE AIDE EFFICACE A LA CONCEPTION D'AMPLIFICATEURS FAIBLE BRUIT LARGE BANDE DANS LE DOMAINE HYPERFREQUENCE, VOIRE MILLIMETRIQUE, LORSQU'ON L'ASSOCIE A UN LOGICIEL D'ANALYSE ET D'OPTIMISATION TEL QUE SUPER COMPACT OU TOUCHSTONE
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Languages : fr
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LE PROBLEME DE LA SYNTHESE DE QUADRIPOLES EST OMNIPRESENT DANS LA CONCEPTION DE CIRCUITS LINEAIRES MICROONDES. DE CE FAIT, DE NOMBREUSES METHODES ONT ETE DEVELOPPEES, MAIS L'UNE DES PLUS PERFORMANTES EST LA METHODE DES FREQUENCES REELLES INITIEE PAR CARLIN EN 1977. SON ORIGINALITE RESIDE DANS LA NUMERISATION COMPLETE DES DONNEES DU PROBLEME, AINSI QUE DANS L'INUTILITE D'UNE MODELISATION PREALABLE DES ELEMENTS. ELLE CONDUIT AINSI A DES RESEAUX D'ADAPTATION DONT LA TOPOLOGIE EST OPTIMALE, CAR ISSUE DU CALCUL. L'OBJET DE NOTRE ETUDE A ETE L'ELABORATION D'UN LOGICIEL DE SYNTHESE DE QUADRIPOLES BASE SUR CETTE METHODE, ET QUI PERMET DE CONCEVOIR DES AMPLIFICATEURS MICROONDES EN CASCADE OU A RETROACTION, A UN OU PLUSIEURS ETAGES, EN ELEMENTS LOCALISES OU DISTRIBUES. LA SYNTHESE DE QUADRIPOLES EN RETROACTION SUR L'ELEMENT ACTIF A ICI ETE UTILISEE AFIN DE PERMETTRE D'ADAPTER CE DERNIER SIMULTANEMENT EN SIGNAL ET EN BRUIT, CE QUI A NECESSITE LE CALCUL DES PARAMETRES DE DISPERSION ET DE BRUIT DE QUADRIPOLES ASSOCIES EN SERIE, PARALLELE ET CASCADE. CE LOGICIEL SE REVELE ETRE UNE AIDE EFFICACE A LA CONCEPTION D'AMPLIFICATEURS FAIBLE BRUIT LARGE BANDE DANS LE DOMAINE HYPERFREQUENCE, VOIRE MILLIMETRIQUE, LORSQU'ON L'ASSOCIE A UN LOGICIEL D'ANALYSE ET D'OPTIMISATION TEL QUE SUPER COMPACT OU TOUCHSTONE
Conception et réalisation d'amplificateurs de puissance micro-ondes à l'état solide et à fort rendement pour des applications spatiales bande S et bande X
Author: Marc Zoyo
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Languages : fr
Pages : 233
Book Description
L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL A ETE DE DETERMINER UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION ORIGINALE ET SYSTEMATIQUE D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE A TRES HAUT RENDEMENT, EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET CE POUR DES APPLICATIONS SPATIALES. LA PREMIERE PARTIE CONSTITUE UNE INTRODUCTION DETAILLANT LES DIVERS PHENOMENES RELATIFS A L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE DANS LE DOMAINE DES HYPERFREQUENCES. UN EXEMPLE PARTICULIER DU FONCTIONNEMENT A FORT RENDEMENT, APPELE LA CLASSE F, EST EXPLICITE. LA DEUXIEME PARTIE TRAITE DE LA CARACTERISATION ET DE LA MODELISATION DE DIFFERENTS TYPES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE. IL EST AINSI PROPOSE UNE NOUVELLE APPROCHE DE LA CARACTERISATION, BASEE SUR DES TRANSFORMATIONS LARGE BANDE D'IMPEDANCES, AFIN D'EXTRAIRE DES MODELES ELECTRIQUES EQUIVALENTS EN REGIMES LINEAIRE ET NON-LINEAIRE. LA TROISIEME PARTIE CONCERNE LA CONCEPTION ET LA REALISATION D'AMPLIFICATEURS HYBRIDES DE PUISSANCE A FORT RENDEMENT FONCTIONNANT EN BANDE X (8,2GHZ) ET CONSTITUES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROSTRUCTURE (HFET). DES CORRELATIONS ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET CEUX PREDITS PAR LES SIMULATIONS ONT PERMIS DE MONTRER UNE BONNE ADEQUATION. L'INFLUENCE DES CHARGES PRESENTEES AUX DEUX PREMIERS HARMONIQUES DU SIGNAL APPLIQUE SUR LE COMPORTEMENT DU HFET DE PUISSANCE EST ETUDIEE ET DISCUTEE. DANS LA DERNIERE PARTIE, LA PROCEDURE DE CONCEPTION DE CE TYPE D'AMPLIFICATEUR EST VALIDEE A L'AIDE DE DIVERSES APPLICATIONS TELS QUE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE FONCTIONNANT EN BANDE X OU EN BANDE S, A BASE DE TRANSISTORS PSEUDOMORPHIQUES A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (PHEMT)
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Languages : fr
Pages : 233
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L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL A ETE DE DETERMINER UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION ORIGINALE ET SYSTEMATIQUE D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE A TRES HAUT RENDEMENT, EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET CE POUR DES APPLICATIONS SPATIALES. LA PREMIERE PARTIE CONSTITUE UNE INTRODUCTION DETAILLANT LES DIVERS PHENOMENES RELATIFS A L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE DANS LE DOMAINE DES HYPERFREQUENCES. UN EXEMPLE PARTICULIER DU FONCTIONNEMENT A FORT RENDEMENT, APPELE LA CLASSE F, EST EXPLICITE. LA DEUXIEME PARTIE TRAITE DE LA CARACTERISATION ET DE LA MODELISATION DE DIFFERENTS TYPES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE. IL EST AINSI PROPOSE UNE NOUVELLE APPROCHE DE LA CARACTERISATION, BASEE SUR DES TRANSFORMATIONS LARGE BANDE D'IMPEDANCES, AFIN D'EXTRAIRE DES MODELES ELECTRIQUES EQUIVALENTS EN REGIMES LINEAIRE ET NON-LINEAIRE. LA TROISIEME PARTIE CONCERNE LA CONCEPTION ET LA REALISATION D'AMPLIFICATEURS HYBRIDES DE PUISSANCE A FORT RENDEMENT FONCTIONNANT EN BANDE X (8,2GHZ) ET CONSTITUES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROSTRUCTURE (HFET). DES CORRELATIONS ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET CEUX PREDITS PAR LES SIMULATIONS ONT PERMIS DE MONTRER UNE BONNE ADEQUATION. L'INFLUENCE DES CHARGES PRESENTEES AUX DEUX PREMIERS HARMONIQUES DU SIGNAL APPLIQUE SUR LE COMPORTEMENT DU HFET DE PUISSANCE EST ETUDIEE ET DISCUTEE. DANS LA DERNIERE PARTIE, LA PROCEDURE DE CONCEPTION DE CE TYPE D'AMPLIFICATEUR EST VALIDEE A L'AIDE DE DIVERSES APPLICATIONS TELS QUE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE FONCTIONNANT EN BANDE X OU EN BANDE S, A BASE DE TRANSISTORS PSEUDOMORPHIQUES A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (PHEMT)
Synthèse et réalisations d'amplificateurs micro-ondes par la méthode des fréquences réelles
Author: André Pérennec
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Languages : fr
Pages : 217
Book Description
LA PREMIERE UTILISEE DECRIT LA SYNTHESE D'AMPLIFICATEURS LARGE BANDE A UN ETAGE OU DES CIRCUITS DE CONTRE REACTION SONT INCLUS. LA DEUXIEME METHODE, DITE DES FREQUENCES REELLES SIMPLIFIEES, PERMET D'ETENDRE LA CONCEPTION AUX AMPLIFICATEURS MULTIETAGES. DEUX AMPLIFICATEURS A UN ET TROIS ETAGES ONT ETE CONCUS A L'AIDE DU LOGICIEL "FREEL" ( FREQUENCES REELLES) DANS LA BANDE 6MHZ-6GHZ POUR UN DISPOSITIF DE TRANSMISSION NUMERIQUE PAR FILTRE OPTIQUE REALISES EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET MONOLITHIQUE
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Languages : fr
Pages : 217
Book Description
LA PREMIERE UTILISEE DECRIT LA SYNTHESE D'AMPLIFICATEURS LARGE BANDE A UN ETAGE OU DES CIRCUITS DE CONTRE REACTION SONT INCLUS. LA DEUXIEME METHODE, DITE DES FREQUENCES REELLES SIMPLIFIEES, PERMET D'ETENDRE LA CONCEPTION AUX AMPLIFICATEURS MULTIETAGES. DEUX AMPLIFICATEURS A UN ET TROIS ETAGES ONT ETE CONCUS A L'AIDE DU LOGICIEL "FREEL" ( FREQUENCES REELLES) DANS LA BANDE 6MHZ-6GHZ POUR UN DISPOSITIF DE TRANSMISSION NUMERIQUE PAR FILTRE OPTIQUE REALISES EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET MONOLITHIQUE
CAO de circuits linéaires microondes par une extension de la méthode des fréquences réelles simplifiée
Author: Somyos Udomchokpaiboon
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Languages : fr
Pages : 183
Book Description
LE PROBLEME DE LA SYNTHESE D'UN CIRCUIT LINEAIRE SUSCEPTIBLE DE REALISER UNE FONCTION DE TRANSFERT DEFINIE A PRIORI EST OMNIPRESENT DANS LA CONCEPTION DE DISPOSITIFS LINEAIRES MICROONDES. POUR RESOUDRE CE TYPE DE PROBLEME, DE NOMBREUSES METHODES ONT ETE PROPOSEES; L'UNE D'ENTRE ELLES, LA METHODE ENTIEREMENT NUMERIQUE DITE DES FREQUENCES REELLES SIMPLIFIEE (MFRS) INITIEE PAR CARLIN ET YARMAN, NOUS A PARU INTERESSANTE PAR SON APPROCHE ET SES PERFORMANCES POTENTIELLES. SON ORIGINALITE RESIDE DANS LA NUMERISATION COMPLETE DES DONNEES DU PROBLEME AINSI QUE DANS L'INUTILITE D'UNE MODELISATION PREALABLE DES ELEMENTS ACTIFS. NOTRE TRAVAIL SE SITUE DANS LE DOMAINE DE LA CAO DES DISPOSITIFS LINEAIRES MICROONDES: IL CONSTITUE UNE EXTENSION DE LA MFRS EN VUE DE CREER UN OUTIL EFFICACE D'AIDE A LA SYNTHESE D'AMPLIFICATEURS PARAPHASES, D'AMPLIFICATEURS FAIBLE BRUIT LARGE BANDE ET DE FILTRES ACTIFS. ENFIN, LES POINTS FORTS ET LES LIMITES DE LA MFRS ETENDUE ONT PU ETRE TESTES EXPERIMENTALEMENT A TRAVERS LA REALISATION D'UN FILTRE ACTIF SIMPLE EN TECHNOLOGIE MMIC
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Languages : fr
Pages : 183
Book Description
LE PROBLEME DE LA SYNTHESE D'UN CIRCUIT LINEAIRE SUSCEPTIBLE DE REALISER UNE FONCTION DE TRANSFERT DEFINIE A PRIORI EST OMNIPRESENT DANS LA CONCEPTION DE DISPOSITIFS LINEAIRES MICROONDES. POUR RESOUDRE CE TYPE DE PROBLEME, DE NOMBREUSES METHODES ONT ETE PROPOSEES; L'UNE D'ENTRE ELLES, LA METHODE ENTIEREMENT NUMERIQUE DITE DES FREQUENCES REELLES SIMPLIFIEE (MFRS) INITIEE PAR CARLIN ET YARMAN, NOUS A PARU INTERESSANTE PAR SON APPROCHE ET SES PERFORMANCES POTENTIELLES. SON ORIGINALITE RESIDE DANS LA NUMERISATION COMPLETE DES DONNEES DU PROBLEME AINSI QUE DANS L'INUTILITE D'UNE MODELISATION PREALABLE DES ELEMENTS ACTIFS. NOTRE TRAVAIL SE SITUE DANS LE DOMAINE DE LA CAO DES DISPOSITIFS LINEAIRES MICROONDES: IL CONSTITUE UNE EXTENSION DE LA MFRS EN VUE DE CREER UN OUTIL EFFICACE D'AIDE A LA SYNTHESE D'AMPLIFICATEURS PARAPHASES, D'AMPLIFICATEURS FAIBLE BRUIT LARGE BANDE ET DE FILTRES ACTIFS. ENFIN, LES POINTS FORTS ET LES LIMITES DE LA MFRS ETENDUE ONT PU ETRE TESTES EXPERIMENTALEMENT A TRAVERS LA REALISATION D'UN FILTRE ACTIF SIMPLE EN TECHNOLOGIE MMIC