Conception et étude de la fiabilité des amplificateurs de puissance fonctionnant aux fréquences millimétriques en technologies CMOS avancées PDF Download
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Author: Thomas Quémerais Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 143
Book Description
Avec l'émergence d'applications millimétriques telles que le radar automobile ou le WHDMI, la fiabilité est devenue un enjeu extrêmement important pour l'industrie. Dans un émetteur/récepteur radio, les problèmes de fiabilité concernent principalement les transistors MOS intégrés dans les amplificateurs de puissance, compte-tenu des niveaux relativement élevés des puissances. Ces composants sont susceptibles de se détériorer fortement par le phénomène de l'injection de porteurs chauds impactant lourdement les performances des amplificateurs. Ce travail de thèse concerne la conception et l'étude de la fiabilité des amplificateurs de puissance fonctionnant aux fréquences millimétriques en technologies CMOS avancées. Le mémoire est articulé autour de quatre chapitres. Les deux premiers chapitres concernent l'étude, la conception, la modélisation et la caractérisation des éléments actifs et passifs intégrés sur silicium et utilisés pour réaliser des amplificateurs de puissance aux fréquences millimétriques. Le troisième chapitre décrit les trois amplificateurs de puissance conçus et réalisés pour les tests de fiabilité. Enfin, le dernier chapitre propose une étude complète de la fiabilité de ces circuits jusqu'au calcul de leur temps de vie.
Author: Thomas Quémerais Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 143
Book Description
Avec l'émergence d'applications millimétriques telles que le radar automobile ou le WHDMI, la fiabilité est devenue un enjeu extrêmement important pour l'industrie. Dans un émetteur/récepteur radio, les problèmes de fiabilité concernent principalement les transistors MOS intégrés dans les amplificateurs de puissance, compte-tenu des niveaux relativement élevés des puissances. Ces composants sont susceptibles de se détériorer fortement par le phénomène de l'injection de porteurs chauds impactant lourdement les performances des amplificateurs. Ce travail de thèse concerne la conception et l'étude de la fiabilité des amplificateurs de puissance fonctionnant aux fréquences millimétriques en technologies CMOS avancées. Le mémoire est articulé autour de quatre chapitres. Les deux premiers chapitres concernent l'étude, la conception, la modélisation et la caractérisation des éléments actifs et passifs intégrés sur silicium et utilisés pour réaliser des amplificateurs de puissance aux fréquences millimétriques. Le troisième chapitre décrit les trois amplificateurs de puissance conçus et réalisés pour les tests de fiabilité. Enfin, le dernier chapitre propose une étude complète de la fiabilité de ces circuits jusqu'au calcul de leur temps de vie.
Author: Thomas Quémerais Publisher: Univ Europeenne ISBN: 9783841675217 Category : Languages : fr Pages : 180
Book Description
Avec l'emergence d'applications millimetriques (radar automobile ou le WHDMI...), la fiabilite est devenue un enjeu extremement important pour l'industrie. Dans un emetteur/recepteur radio, les problemes de fiabilite concernent principalement les transistors MOS integres dans les amplificateurs de puissance, compte-tenu des niveaux relativement eleve des puissances. Ces composants sont susceptibles de se deteriorer fortement par le phenomene de l'injection de porteurs chauds impactant lourdement les performances des amplificateurs. Ce travail concerne la conception et l'etude de la fiabilite de ces circuits en technologies CMOS avancees. Le livre est articule autour de quatre chapitres. Les deux premiers chapitres concernent l'etude, la conception, la modelisation et la caracterisation des elements actifs et passifs integres sur silicium et utilises pour realiser des amplificateurs de puissance aux frequences millimetriques. Le troisieme chapitre decrit les trois amplificateurs de puissance concus et realises pour les tests de fiabilite. Le dernier chapitre propose une etude complete de la fiabilite de ces circuits jusqu'au calcul de leur temps de vie.
Author: Thomas Quémerais Publisher: Omniscriptum ISBN: 9786131544750 Category : Languages : fr Pages : 216
Book Description
Avec l' mergence d'applications millim triques telles que le radar automobile ou le WHDMI, la fiabilit est devenue un enjeu extr mement important pour l'industrie. Dans un metteur/r cepteur radio, les probl mes de fiabilit concernent principalement les transistors MOS int gr s dans les amplificateurs de puissance, compte-tenu des niveaux relativement lev des puissances. Ce livre concerne la conception et l' tude de la fiabilit des amplificateurs de puissance fonctionnant aux fr quences millim triques en technologies CMOS avanc es. Le m moire est articul autour de quatre chapitres. Les deux premiers chapitres concernent l' tude, la conception, la mod lisation et la caract risation des l ments actifs et passifs int gr s sur silicium et utilis s pour r aliser des amplificateurs de puissance aux fr quences millim triques. Le 3 me chapitre d crit les trois amplificateurs de puissance con us et r alis s pour les tests de fiabilit . Enfin, le dernier chapitre propose une tude compl te de la fiabilit de ces circuits jusqu'au calcul de leur temps de vie
Author: Jean Gorisse Publisher: ISBN: Category : Languages : en Pages : 248
Book Description
Avec l'apparition d'applications grand-public, comme le Wireless-HD, les fréquences millimétriques nécessitent l'utilisation de technologies CMOS faible coût. Cependant, avant d'être commercialisés, les transmetteurs mmW doivent être suffisamment résistants notamment à la désadaptation d'impédance entre l'amplificateur de puissance (AP) et l'antenne qui peut résulter d'un obstacle dans le champ proche de l'antenne. Une telle désadaptation d'impédance se traduit par l'apparition d'ondes stationnaires qui peuvent engendrer des dommages irrémédiables sur l'AP. Cette thèse propose une architecture innovante de régulation qui vise à protéger l'AP de telles dégradations tout en optimisant ses performances. La désadaptation d'impédance peut être évaluée en intégrant plusieurs détecteurs de puissance entre l'AP et l'antenne. Une boucle de régulation numérique peut ensuite établir une stratégie d'optimisation des performances de l'AP. Cette thèse s'intéresse particulièrement aux circuits de détection de puissance qui captent la désadaptation d'impédance de l'antenne. Réalisé en technologie CMOS 65nm de STMicroelectronics, le détecteur de puissance présente 25dB de dynamique à 60GHz et est capable de détecter jusqu'à 3 :1 de TOS. Ces détecteurs de puissance ont ensuite été intégrés dans un second circuit avec un AP et des convertisseurs (CAN & CNA). Une boucle de régulation agissant sur le gain de l'AP permet ainsi de garder une puissance de sortie constante quelle que soit l'impédance d'antenne tandis qu'une seconde boucle protège l'AP de la destruction. Cette thèse couvre également deux projets développés en parallèle de l'architecture de régulation de TOS. D'abord est proposée une nouvelle architecture de convertisseur analogique numérique logarithmique, basée sur l'architecture d'amplificateur logarithmique à compression progressive. Ensuite, une co-simulation sous ADS d'un AP RF/mmW avec sa boucle de régulation numérique permet de simuler l'AP à TOS régulé.
Book Description
Dans le cadre des applications sans fil à 60GHz, l'amplificateur de puissance reste un des composants les plus compliqués à implémenter en technologie CMOS. Des modulations à enveloppe non constante obligent à concevoir des circuits hautement linéaires, conduisant à une consommation statique importante. La recherche de topologies et de techniques de linéarisation viables aux fréquences millimétriques fait l'objet de cette thèse. Dans un premier temps, un état de l'art des différents amplificateurs de puissance à 60GHz est dressé, afin d'en extraire l'ensemble des verrous technologiques limitant leurs performances. Suite à l'analyse des phénomènes physiques impactant les composants passifs, plusieurs structures d'amplificateurs élémentaires sont conçues dans les technologies 65nm et 28nm Bulk. Les topologies les plus pertinentes sont déduites de cette étude. Enfin, deux amplificateurs intégrant des techniques de combinaison de puissance et de linéarisation sont implémentés dans les technologies 65nm et 28nm FD-SOI. Ces deux circuits présentent les plus hauts facteurs de mérite ITRS publiés à ce jour. Le circuit en 28nm FD-SOI atteint en outre le meilleur compromis linéarité/consommation de l'état de l'art.
Author: Thomas Quémerais
Author: Thomas Quémerais
Author: Thomas Quémerais
Author: Thomas Quémerais
Author: Jean Gorisse
Author: Aurélien Larie