Author: Nicolas BressonPublisher:
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Languages : fr
Pages : 330
Book Description
La filière Silicium sur Isolant (SOI) présente un intérêt considérable pour la microélectronique car elle remplace graduellement la technologie sur silicium massif. Ces dernières années de nouveau concepts de structures SOI et de nouvelles unités de production permettent une diminution du coût des plaquettes SOI, rendant cette technologie compétitive pour les circuits CMOS ultra-performants. L'objectif premier de cette thèse est l'étude et les applications du Y-MOS (pseudo-MOSFET) et du Hg-FET, deux techniques très appropriées pour comparer la qualité et les paramètres électriques des différentes structures SOI. Le second objectif est de rechercher des solutions pour une meilleure dissipation thermique au travers de l'oxyde enterré, avec comme enjeu l'amélioration des performances électriques des transistors sur SOI tout en évitant une augmentation de la température de fonctionnement. Nous présentons ensuite les techniques de caractérisations électriques (Y-MOS et Hg-FET) utilisées pour ce travail. Une analyse approfondie est faite sur l'analyse des erreurs de mesure, la préparation des échantillons et la corrélation entre le Y-MOS et le Hg-FET. Le troisième chapitre est consacré à l'étude des substrats innovants. Nous y présentons notamment des résultats de caractérisation, de modélisation et de simulation pour des films ultra-minces de silicium. Le quatrième chapitre porte sur l'intégration de matériaux à forte conductivité thermique pour les transistors MOSFET sur SOI. Des simulations ont permis de comprendre les impacts thermiques et électriques du changement de matériau d'isolant enterré