CARACTERISATION D'UN PILOTE PLASMA APPLIQUE A L'ELABORATION DU SILICIUM PHOTOVOLTAIQUE ROLE DE LA CHIMIE DU PLASMA SUR LES PHENOMENES DE DIFFUSION DANS LA MISE AU POINT DU PROCEDE PDF Download
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LA TRANSPOSITION A UNE ECHELLE INDUSTRIELLE DU PROCEDE DE PURIFICATION DU SILICIUM PAR FUSION SOUS PLASMA THERMIQUE INDUCTIF REACTIF IMPOSE DE CONSIDERER DES APPLICATEURS CONCUS POUR DES PUISSANCES ELEVEES. IL S'AGISSAIT ALORS DE QUALIFIER LE PILOTE DE 25 KW EQUIPE D'UN APPLICATEUR A DOIGTS DE CUIVRE REFROIDIS PAR CIRCULATION D'EAU. POUR DES PLASMAS D'ARGON PUR, LE RENDEMENT ENERGETIQUE VARIE ENTRE 22 ET 40% POUR UNE PLAGE DE DEBITS SE SITUANT ENTRE 40 ET 80 1.MIN#-#1. L'INTRODUCTION D'HYDROGENE DANS CES PLASMAS CONDUIT A UNE ALTERATION DU RENDEMENT DE COUPLAGE INDUCTEUR-PLASMA MAIS EGALEMENT A UNE AUGMENTATION DE LA CONDUCTIVITE THERMIQUE AMELIORANT LES TRANSFERTS DE CHALEUR PLASMA-SILICIUM. LE RENDEMENT DE FUSION EST ALORS FAVORABLE AU PLASMA HYDROGENE (8 KW.H.KG#-#1 POUR UNE FUSION SOUS PLASMA ARGON-HYDROGENE (2%) CONTRE 40 KW.H.KG#-#1 SOUS PLASMA D'ARGON PUR). SUR LE PLAN DE L'ELABORATION DU MATERIAU, LE DEPLACEMENT RAPIDE DU FRONT DE FUSION ET LES GRADIENTS THERMIQUES ELEVES CONDUISENT A UN MATERIAU AYANT UN NOMBRE DE DEFAUTS ELEVE (DENSITE DE DISLOCATIONS: 10#6-10#7 CM#-#2). TOUTEFOIS QUAND LA RESISTIVITE EST SUPERIEURE A 1 OHM-CENTIMETRE, LES LONGUEURS DE DIFFUSION SE SITUENT ENTRE 20 ET 120 MICROMETRES ET LES RENDEMENTS PHOTOVOLTAIQUES OBTENUS SUR DES CELLULES DE FAIBLE DIMENSION (3 CM#2) SANS COUCHE ANTI-REFLET SONT COMPRIS ENTRE 5,5 ET 8%. LA CARACTERISATION PAR SPECTROSCOPIE I.R.T.F MONTRE L'APPARITION DE LIAISONS SI-H QUI PEUVENT PRESENTER UN CARACTERE PASSIVANT SI ELLES CORRESPONDENT A LA SATURATION DE LIAISONS PENDANTES. DE PLUS, A PARTIR DE CETTE ETUDE NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LA REDUCTION DE LA CONCENTRATION EN OXYGENE DISSOUS DANS LE MATERIAU PAR LE TRAITEMENT SOUS PLASMA D'ARGON HYDROGENE. L'ANALYSE DES TRANSFERTS DE MATIERE LORS DE L'INTERACTION PLASMA-MATERIAU A ETE MENEE EN CONSIDERANT LE SILICIUM MAIS AUSSI LE GRAPHITE QUI PRESENTE LA PARTICULARITE D'ETRE SOLIDE DANS LES CONDITIONS THERMIQUES OU LE SILICIUM EST LIQUIDE. L'INFLUENCE DE LA CHIMIE DU PLASMA SUR LES PHENOMENES DE DIFFUSION ET D'EVAPORATION A ETE ETUDIEE. LE TRANSFERT DE TECHNOLOGIE SUR LE SITE INDUSTRIEL DE PHOTOWATT S'EST TRADUIT PAR L'ADAPTATION D'UN APPLICATEUR PLASMA SUR UN FOUR DE CRISTALLISATION. LES PREMIERS ESSAIS INDIQUENT UNE REDUCTION DU TEMPS DE FUSION DE 40%. LA COMPARAISON ENTRE LES CELLULES ELABOREES ET LES CELLULES STANDARD SOULIGNE UNE AMELIORATION DE LA DISTRIBUTION EN RENDEMENT PHOTOVOLTAIQUE
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LA TRANSPOSITION A UNE ECHELLE INDUSTRIELLE DU PROCEDE DE PURIFICATION DU SILICIUM PAR FUSION SOUS PLASMA THERMIQUE INDUCTIF REACTIF IMPOSE DE CONSIDERER DES APPLICATEURS CONCUS POUR DES PUISSANCES ELEVEES. IL S'AGISSAIT ALORS DE QUALIFIER LE PILOTE DE 25 KW EQUIPE D'UN APPLICATEUR A DOIGTS DE CUIVRE REFROIDIS PAR CIRCULATION D'EAU. POUR DES PLASMAS D'ARGON PUR, LE RENDEMENT ENERGETIQUE VARIE ENTRE 22 ET 40% POUR UNE PLAGE DE DEBITS SE SITUANT ENTRE 40 ET 80 1.MIN#-#1. L'INTRODUCTION D'HYDROGENE DANS CES PLASMAS CONDUIT A UNE ALTERATION DU RENDEMENT DE COUPLAGE INDUCTEUR-PLASMA MAIS EGALEMENT A UNE AUGMENTATION DE LA CONDUCTIVITE THERMIQUE AMELIORANT LES TRANSFERTS DE CHALEUR PLASMA-SILICIUM. LE RENDEMENT DE FUSION EST ALORS FAVORABLE AU PLASMA HYDROGENE (8 KW.H.KG#-#1 POUR UNE FUSION SOUS PLASMA ARGON-HYDROGENE (2%) CONTRE 40 KW.H.KG#-#1 SOUS PLASMA D'ARGON PUR). SUR LE PLAN DE L'ELABORATION DU MATERIAU, LE DEPLACEMENT RAPIDE DU FRONT DE FUSION ET LES GRADIENTS THERMIQUES ELEVES CONDUISENT A UN MATERIAU AYANT UN NOMBRE DE DEFAUTS ELEVE (DENSITE DE DISLOCATIONS: 10#6-10#7 CM#-#2). TOUTEFOIS QUAND LA RESISTIVITE EST SUPERIEURE A 1 OHM-CENTIMETRE, LES LONGUEURS DE DIFFUSION SE SITUENT ENTRE 20 ET 120 MICROMETRES ET LES RENDEMENTS PHOTOVOLTAIQUES OBTENUS SUR DES CELLULES DE FAIBLE DIMENSION (3 CM#2) SANS COUCHE ANTI-REFLET SONT COMPRIS ENTRE 5,5 ET 8%. LA CARACTERISATION PAR SPECTROSCOPIE I.R.T.F MONTRE L'APPARITION DE LIAISONS SI-H QUI PEUVENT PRESENTER UN CARACTERE PASSIVANT SI ELLES CORRESPONDENT A LA SATURATION DE LIAISONS PENDANTES. DE PLUS, A PARTIR DE CETTE ETUDE NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LA REDUCTION DE LA CONCENTRATION EN OXYGENE DISSOUS DANS LE MATERIAU PAR LE TRAITEMENT SOUS PLASMA D'ARGON HYDROGENE. L'ANALYSE DES TRANSFERTS DE MATIERE LORS DE L'INTERACTION PLASMA-MATERIAU A ETE MENEE EN CONSIDERANT LE SILICIUM MAIS AUSSI LE GRAPHITE QUI PRESENTE LA PARTICULARITE D'ETRE SOLIDE DANS LES CONDITIONS THERMIQUES OU LE SILICIUM EST LIQUIDE. L'INFLUENCE DE LA CHIMIE DU PLASMA SUR LES PHENOMENES DE DIFFUSION ET D'EVAPORATION A ETE ETUDIEE. LE TRANSFERT DE TECHNOLOGIE SUR LE SITE INDUSTRIEL DE PHOTOWATT S'EST TRADUIT PAR L'ADAPTATION D'UN APPLICATEUR PLASMA SUR UN FOUR DE CRISTALLISATION. LES PREMIERS ESSAIS INDIQUENT UNE REDUCTION DU TEMPS DE FUSION DE 40%. LA COMPARAISON ENTRE LES CELLULES ELABOREES ET LES CELLULES STANDARD SOULIGNE UNE AMELIORATION DE LA DISTRIBUTION EN RENDEMENT PHOTOVOLTAIQUE
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L'OBJECTIVE DE CETTE ETUDE EST L'ELABORATION D'UN DEPOT DE SILICIUM PAR PROJECTION DE PLASMA THERMIQUE RF SUR UN SUBSTRAT DESTINE A L'APPLICATION PHOTOVOLTAIQUE. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS CORRELE LE ROLE JOUE PAR L'HYDROGENE INCLUS DANS LE MATERIAU (PASSIVATION LES LIAISONS PENDANTES ET LES POINTS DE RECOMBINAISONS ELECTRIQUES) ET LA PRODUCTION DES ETATS EXCITES DE L'HYDROGENE PAR LE PLASMA RF ARGON-HYDROGENE. PAR LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION NOUS AVONS IDENTIFIE LA PRESENCE DANS LE PLASMA DES ETATS EXCITES ELEVES DE L'HYDROGENE ATOMIQUE (JUSQU'A N = 8), LEUR DISTRIBUTION SPATIALE VARIE LORS DE L'AJOUT D'HELIUM DANS LE GAZ PLASMAGENE. CE PHENOMENE PERMET DE DOUBLER LA TENEUR EN HYDROGENE DANS LE SILICIUM MASSIF TRAITE PAR PLASMA AR+H 2+HE (4,42.10 1 5 AT.CM - 3) PAR RAPPORT AU PLASMA D'AR + H 2 (2,2.10 1 5 AT. CM - 3). CETTE TENEUR PEUT ATTEINDRE 10 1 9 AT.CM - 3 PAR L'INJECTION AXIALE DE LA POUDRE DE SILICIUM DANS LE JET PLASMA. LA MESURE DES TEMPS DE SEJOURS DE 10 MSEC A 30 MSEC DES PARTICULES DE SILICIUM EN VOL A ETE EFFECTUEE PAR LA TECHNIQUE D'ANEMOMETRIE LASER DOPPLER. AINSI LA VITESSE DES PARTICULES, ET LA DISTANCE DE PROJECTION DETERMINENT LE TAUX D'EVAPORATION DE SILICIUM ET LA MESURE DES DIAMETRES DES PARTICULES EN VOL VALIDE LE TRANSFERT DE MATIERE. LA CROISSANCE DE DEPOT EST LIEE AUX PROCESSUS DE TRANSFERT DE CHALEUR ET DE MATIERE PARTICULE/SUBSTRAT. UNE FAIBLE CONDUCTIVITE THERMIQUE DE SUBSTRAT COMME LA MULLITE CONSTITUE UNE BARRIERE THERMIQUE QUI PERMET UN REFROIDISSEMENT CONTROLE DES PARTICULES PROJETEES. LA CHALEUR APPORTEE PAR CES PARTICULES ABOUTIT A LA FORMATION SUR LE SUBSTRAT D'UNE GOUTTE LIQUIDE DONT LA CRISTALLISATION DIRECTIONNELLE DEBUTE LORS DE L'ARRET DE LA PROJECTION DES PARTICULES. LA PURIFICATION DU DEPOT MIS EN EVIDENCE PAR EDX, A EU LIEU PAR SEGREGATION DES IMPURETES DE LA PHASE SOLIDE VERS LA PHASE LIQUIDE, LA VITESSE DE DEPOT ATTEIGNANT 600-1500 M.H - 1 SELON LA TAILLE DES PARTICULES DE SILICIUM ET LA VITESSE DE PROJECTION.
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CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS UN EFFORT DE REDUCTION DU COUT DES SYSTEMES PHOTOVOLTAIQUES ET D'AUGMENTATION DU RENDEMENT DE CONVERSION DU SILICIUM MULTICRISTALLIN UTILISE POUR L'ELABORATION DES PHOTOPILES. L'OUTIL UTILISE AU LABORATOIRE (8 ET 25 KW) EST UN PROCEDE DE PURIFICATION PAR PLASMA THERMIQUE INDUCTIF, DONT LES PROPRIETES PHYSICOCHIMIQUES SPECIFIQUES (HAUTE TEMPERATURE 9 000 K, VITESSE DE 25 M/S, FORTES VISCOSITES ET CONDUCTIVITE THERMIQUE, HAUTE REACTIVITE DU FLUX D'HYDROGENE RADICALAIRE 10#2#0 AT/S) PERMETTENT DES TRANSFERTS DE MATIERE ET DE CHALEUR TRES EFFICACES ENTRE LE PLASMA ET UN BARREAU DE SILICIUM. IL CONDUIT AINSI A LA FOIS A LA TRES HAUTE PURETE DU MATERIAU ET A LA PASSIVATION DES DEFAUTS CRISTALLINS, EN FAISANT INTERVENIR EN PARTICULIER L'HYDROGENE ATOMIQUE DU PLASMA. TOUTEFOIS, LES CONDITIONS THERMIQUES DE CRISTALLISATION DU PROCEDE CONDUISENT A LA FORMATION DE DEFAUTS (JOINTS DE GRAINS ET MACLES), ET EN PARTICULIER A UNE FORTE DENSITE DE DISLOCATIONS (N#D#I#S = 10#6#-#7 DIS/CM#2). L'UTILISATION DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION (SPECTROSCOPIE D'EMISSION, SIMS, IRFT A 6K, RESISTIVITE 4 POINTES, ERDA, EXODIFFUSION, NAA, ICP, MEB, RX (LAUE), MICROSCOPIE OPTIQUE) ONT PERMIS DE DEMONTRE LA REACTIVITE DE L'HYDROGENE RADICALAIRE D'UN PLASMA AR + 1% H#2 AVEC L'OXYGENE CONTENU DANS LE SILICIUM DE QUALITE ELECTRONIQUE OU PHOTOVOLTAIQUE. LA PURIFICATION IMPORTANTE, NOTAMMENT EN 0 (97%: 3.10#1#710#1#6 AT/CM#3) ET C (70%: 7.10#1#72.10#1#7 AT/CM#3) S'ACCOMPAGNE D'UNE PASSIVATION DES DEFAUTS CRISTALLINS PAR L'HYDROGENE RADICALAIRE DU PLASMA (2.10#1#5 AT/CM#3). LA LIAISON ETABLIE RESISTE A UNE FORTE MONTEE EN TEMPERATURE (1 000 K). AINSI LES FORTES LONGUEURS DE DIFFUSION LOCALES (250 M) CONFIRMENT L'AMELIORATION DE LA PURETE DU MATERIAU EN ELEMENTS METALLIQUES ET METALLOIDIQUES (O, C) ET LA CICATRISATION DES DEFAUTS CRISTALLINS PAR L'HYDROGENE ATOMIQUE DU PLASMA. LE TRANSFERT TECHNOLOGIQUE SUR SITE INDUSTRIEL (100 KW) ET LES PREMIERS ESSAIS SUR LA PURIFICATION CONFIRMENT L'EFFICACITE DU PLASMA AR + H#2 PUISQUE LE RENDEMENT DE CONVERSION PHOTOVOLTAIQUE AUGMENTE DE 12,5% A 14%
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CE TRAVAIL OUVRE LE CHAMP EXPLORATOIRE DE L'ELABORATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM PAR DEPOT RAPIDE EN PLASMA THERMIQUE. L'OBJECTIF RECHERCHE EST L'OBTENTION D'UN MATERIAU DE HAUTE PURETE A PROPRIETE SEMICONDUCTRICE DANS LE CADRE DES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES. L'ETUDE EFFECTUEE EST CENTREE SUR LA MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE FUSION DE PARTICULES DE SILICIUM DE DIAMETRES INITIALS VARIABLES (50 A 200 M) PAR TRANSFERT THERMIQUE ENTRE LE PLASMA ARGON/HYDROGENE ET LA PARTICULE. L'HYDRODYNAMIQUE DE L'ECOULEMENT, LES PROPRIETES DE TRANSPORT DU PLASMA, LES PROPRIETES PHYSIQUES DU MATERIAU CONSTITUENT LES PREMIERES ETAPES DU TRAVAIL A ANALYSER. IL CONVIENT EN PARTICULIER DE MESURER LE TEMPS DE SEJOUR DES PARTICULES DANS LES CHAMPS DE TEMPERATURES DU JET PLASMA ENGENDRE PAR LA TORCHE RF. CETTE ETUDE EXPERIMENTALE ASSOCIANT ANEMOMETRIE DOPPLER LASER, POUR LA MESURE DES VITESSES, ET EMISSION ATOMIQUE DES ESPECES DANS LE PLASMA, PERMET DE SUIVRE LES ECHANGES DE MATIERE SUR LA TRAJECTOIRE DES PARTICULES ET PAR LA MEME, PERMET DE REMONTER AUX ECHANGES DE CHALEUR RESPONSABLES DES PROCESSUS DE FUSION, D'EVAPORATION ET DE PURIFICATION DU MATERIAU. LA NATURE DU GAZ PLASMAGENE ET EN PARTICULIER LA TENEUR EN HYDROGENE DU MELANGE ARGON/HYDROGENE CONSTITUE UNE ETAPE IMPORTANTE PUISQU'ELLE AGIT SIMULTANEMENT SUR LES PHENOMENES DE TRANSFERT DE CHALEUR ET SUR LE PROCESSUS DE MODIFICATION CHIMIQUE DU MATERIAU (REDUCTION DES OXYDES, DIFFUSION DE L'HYDROGENE A CUR). LA QUALIFICATION DES COUCHES OBTENUES PAR MEB, XPS ET SPECROSCOPIE DE MASSE A PARTIR D'ECHANTILLONS TESTS PERMET DE RELIER LE PROCEDE DE FUSION ET L'ELABORATION D'UN MATERIAU COUCHE MINCE.
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Aujourd'hui, le principal facteur limitant le photovoltaïque est le prix élevé du kWh produit par les modules PV. Pour faire face à cette difficulté, les recherches actuelles se concentrent autour de plusieurs leviers et solutions alternatives : la réduction du coût énergétique avec notamment la réduction du coût de la matière première, qui consiste en la diminution de l'épaisseur des wafers de silicium, ou encore l'élaboration de cellules en couches minces de silicium. Ce dernier procédé a pour but de s'affranchir de l'étape de sciage des blocs de silicium, nécessaire pour la réalisation de plaquette photovoltaïque de faible épaisseur. C'est cette dernière approche qui nous a conduits à proposer un procédé d'élaboration de couches minces à l'aide d'un plasma et du chauffage du substrat. Par ailleurs, quel que soit le procédé choisi pour atteindre la cristallinité et la pureté exigées pour le grade solaire, il est nécessaire de disposer de technique analytique multiélémentaire pour contrôler l'évolution de la pureté en fonction des paramètres. La LIBS que nous avons développée au laboratoire offre l'opportunité de répondre à ces attentes : très basses limites de détection tout en permettant un suivi en ligne du silicium à l'état solide ou en fusion.
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CETTE ETUDE A PORTE SUR LA MISE AU POINT D'UN PILOTE PLASMA DE 25 KW DESTINE A PURIFIER DU SILICIUM DE QUALITE METALLURGIQUE EN VUE D'OBTENIR UN MATERIAU REPONDANT AU CAHIER DES CHARGES DE L'INDUSTRIE PHOTOVOLTAIQUE. LA PREMIERE PARTIE DE CETTE ETUDE A CONSISTE A REALISER ET DEVELOPPER UN APPLICATEUR PLASMA DE HAUTE PUISSANCE (25-100 KW) CAPABLE DE REPONDRE AUX IMPERATIFS TECHNIQUES TOUT EN ANALYSANT LES RENDEMENTS ENERGETIQUES SUSCEPTIBLES D'ETRE OBTENUS SELON LES DIFFERENTES CONFIGURATIONS D'EXPLOITATION. A CES BILANS, NOUS AVONS JOINT LA QUALIFICATION DES SILICIUMS RECYCLES DE TYPE N OU P AFIN DE DEFINIR LES CONDITIONS OPERATOIRES OPTIMALES DANS LES DEUX CAS DE FIGURE. LA DEUXIEME PARTIE DE CETTE ETUDE IMPOSAIT D'ENVISAGER DEUX TYPES DE MATERIAUX: LE MATERIAU MASSIF ET LE MATERIAU EN POUDRE. POUR MENER A BIEN CE TRAVAIL, IL ETAIT INDISPENSABLE DE MODELISER LES PHENOMENES DE TRANSFERT DE MATIERE ET DE CHALEUR ENTRE UN PLASMA ET UNE PARTICULE, CE QUI NOUS CONDUIT A DEVELOPPER UN MODELE TENANT COMPTE DES REACTIONS CHIMIQUES EN COUCHE LIMITE. CETTE ETAPE A CONSTITUE UNE PHASE CAPITALE DE NOTRE MEMOIRE PUISQU'ELLE PERMET DESORMAIS D'ABORDER LA CHIMIE ET DE MIEUX COMPRENDRE LES PHENOMENES DE DECOMPOSITION ET DE PURIFICATION SOUS PLASMA. POUR CONCLURE ET VERIFIER CE MODELE, NOUS AVONS TRAITE LE CAS DE LA SYNTHESE DE POUDRES ULTRAFINES DE NITRURE DE SILICIUM ET DE NITRURE DE TITANE PAR VAPORISATION TOTALE DE POUDRES DANS UN PLASMA REACTIF. CETTE ANALYSE PERMET ALORS DE VALIDER LA DEMARCHE DE TRAITEMENT DE POUDRES DANS LE CAS D'UN MATERIAU PARFAITEMENT QUALIFIE
Author: Frank Slootman Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
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MISE AU POINT DU DISPOSITIF D'ANALYSE DES PHENOMENES D'EVAPORATION A L'INTERFACE PLASMA/POUDRE DE SILICIUM, COMPRENANT UN SYSTEME FIBRE OPTIQUE-MONOCHROMATEUR HAUTE RESOLUTION-ANALYSEUR MULTICANAUX AFIN DE REGULER DES PROCEDES DE PURIFICATION DES MATERIAUX PAR PLASMA THERMIQUE
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Ce travail de thèse porte sur un procédé plasma de purification de silicium pour usages photovoltaïque. Il est appliqué à deux types de matériaux : du silicium d'origine métallurgique et des produits de recyclage des boues de sciage des lingots et des plaquettes de la filière photovoltaïque. Les boues de sciage des plaquettes sont essentiellement constituées de liquide de coupe, de particules de SiC (abrasif), de microparticules de silicium et de microparticules de fer provenant du fil de découpe. Le silicium de ces boues est un silicium de haute pureté, qui est déjà de qualité photovoltaïque. Il peut représenter jusqu'`a 60 % du poids initial du lingot. Le procédé objet du projet comporte une phase de séparation du SiC par centrifugation, suivi d'une phase d'élimination chimique du fer, puis d'un traitement par plasma réactif pour l'élimination du SiC résiduel. Ce travail porte sur cette dernière phase. Un traitement plus complexe que celui initialement prévu a été rendu nécessaire par l'existence dans les boues de sciage de particules de SiC provenant du bris des grains de l'abrasif initial. La séparation du SiC étant incomplète, le traitement par plasma a dû éliminer des quantités beaucoup plus importantes qu'initialement prévu. Cela a nécessité une modification importante du procédé initial, et la mise au point de phase de pré-traitement destiné à rendre exploitable par le plasma le produit issu de la séparation. Ce travail combine études théoriques, modélisations numériques et expérimentation. La modélisation thermodynamique permet de déterminer les meilleures conditions d'élimination des polluants (gaz réactifs adaptés, débits, températures, pressions) tandis que la modélisation du brassage électromagnétique mesure l'efficacité du renouvellement de la surface du bain liquide au cours du traitement.
Author: Agnes Buka Publisher: World Scientific ISBN: 1848167997 Category : Science Languages : en Pages : 299
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The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.
Author: Jean Daillant Publisher: Springer Science & Business Media ISBN: 3540486968 Category : Science Languages : en Pages : 347
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The reflection of and neutrons from surfaces has existed as an x-rays exp- imental for almost it is in the last technique fifty Nevertheless, only years. decade that these methods have become as of enormously popular probes This the surfaces and interfaces. to be due to of several appears convergence of intense different circumstances. These include the more n- availability be measured orders tron and sources that can over (so reflectivity x-ray many of and the much weaker surface diffuse can now also be magnitude scattering of thin films and studied in some the detail); growing importance multil- basic the realization of the ers in both and technology research; important which in the of surfaces and and role roughness plays properties interfaces; the of statistical models to characterize the of finally development topology its and its characterization from on roughness, dependence growth processes The of and to surface scattering experiments. ability x-rays neutro4s study four five orders of in scale of surfaces over to magnitude length regardless their and also their to ability probe environment, temperature, pressure, etc. , makes these the choice for buried interfaces often probes preferred obtaining information about the microstructure of often in statistical a global surfaces, the local This is manner to complementary imaging microscopy techniques, of such studies in the literature witnessed the veritable by explosion published the last few Thus these lectures will useful for over a resource years.
Author: JOCELYN.. ERIN
Author: JOCELYN.. ERIN
Author: FADI.. KRAYEM
Author: ISABELLE.. CAZARD-JUVERNAT
Author: SEBASTIEN.. MAGNAVAL
Author: Rafik Benrabbah
Author: PATRICK.. HUMBERT
Author: Frank Slootman
Author: Cyrille Ndzogha
Author: Agnes Buka
Author: Jean Daillant