Author: Daniel LinsPublisher:
ISBN: 9782212052947
Category :
Languages : fr
Pages : 517
Book Description
APPLICATIONS DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUM
Author: Daniel LinsPublisher:
ISBN: 9782212052947
Category :
Languages : fr
Pages : 517
Book Description
Applications Des Transistors a Effet de Champ en Arseniure de Gallium
Author: R. SoaresApplications des transistors à effet de champ en arséniure de gallium
Author: Applications des transistors a effect de champ en arséniure de gallium
Author: R. SoaresApplications hyperfréquences des transistors à effet de champ en arséniure de gallium
Author: Laboratoires d'électronique et de physique appliquée (Limeil-Brévannes, France)Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : en
Pages : 80
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Nouveau modèle analytique du transistor à effet de champ à grille métallique sur Arséniure de Gallium en régime de saturation
Author: Pierre PouvilPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 446
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SCHEMA ELECTRIQUE EQUIVALENT AUX FREQUENCES INFERIEURES A 1 GHZ. MODELE BASE SUR L'APPROXIMATION QUADRATIQUE DE LA FORME DE LA ZONE DEPEUPLEE SOUS LA GRILLE EN REGIME SATURE. VALIDATION DU MODELE PAR COMPARAISON ENTRE SIMULATION ET EXPERIENCES. VARIATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE, LE TRANSISTOR ETANT SOUMIS A UN FLUX LUMINEUX DONT L'ENERGIE EST SUPERIEURE A LA LARGEUR DE LA BANDE INTERDITE DU MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MESFET ILLUSTRE PAR LA REALISATION D'UN AMPLIFICATEUR ET D'UN OSCILLATEUR A COMMANDE OPTIQUE
Etude des structures differentielles a transistor a effet de champ sur arseniure de gallium dans la gamme microonde. Application
Author: Javier Gonzalez VillarruelPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
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Le Transistor à effet de champ en arséniure de gallium
Author: Laboratoires d'électronique et de physique appliquée (Limeil-Brévannes, France)Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 91
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Contribution à la modélisation microonde des transistors à effet de champ sur Arseniure de Gallium soumis à un flux lumineux
Author: Jean-Luc GautierPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 218
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LES VARIATIONS DES ELEMENTS DU MODELE ELECTRIQUE EQUIVALENT EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE SONT PRESENTEES, ELLES MONTRENT QUE SEUL UN PETIT NOMBRE D'ENTRE EUX SUBISSENT UNE VARIATION SIGNIFICATIVE. LA POSSIBILITE DE COMMANDE DE LA FREQUENCE D'UN OSCILLATEUR PAR UN FLUX LUMINEUX EST MONTREE THEORIQUEMENT ET VERIFIEE EXPERIMENTALEMENT. L'ETUDE ET LA REALISATION DE DEUX AMPLIFICATEURS A BANDE ETROITE PERMETTENT DE METTRE EN EVIDENCE LA COMMANDE DU GAIN PAR LA LUMIERE AVEC UNE DYNAMIQUE POUVANT ATTEINDRE 20 DB
Author: Jean-Marie FOUGNION