Author: Nathalie LabatPublisher:
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Languages : fr
Pages : 0
Book Description
Analyse technologique et electrique des dispositifs bases sur le transistor a effet de champ a grille Schottky sur arseniure de gallium
Author: Nathalie LabatAnalyse technologique et électrique des dispositifs basés sur le transistor à effet de champ à grille Schottky sur arséniure de gallium
Author: Nathalie LabatPublisher:
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Languages : fr
Pages : 306
Book Description
CETTE ETUDE PROPOSE DES METHODES D'INVESTIGATIONS TECHNOLOGIQUES ET ELECTRIQUES ADAPTEES A L'EVOLUTION RAPIDE DE LA TECHNOLOGIE ET DES PERFORMANCES DES COMPOSANTS SUR ARSENIURE DE GALLIUM, CARACTERISES PAR DES GEOMETRIES SUBMICRONIQUES ET DES FREQUENCES DE FONCTIONNEMENT SUPERIEURES AU GIGAHERTZ. DE NOUVELLES PROCEDURES D'ANALYSE DE CONSTRUCTION SONT PRESENTEES, ET LES POSSIBILITES DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION POUR L'OBSERVATION DE MOTIFS SONT MISES EN EVIDENCE. DANS LE DOMAINE ELECTRIQUE, DES METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES REPRESENTATIFS DE LA QUALITE ET DE LA FIABILITE DES DISPOSITIFS SONT PROPOSEES, NOTAMMENT PAR MESURE DU BRUIT DE FOND BASSES FREQUENCES
Dedicated design of experiments and experimental diagnostic tools for accurate reliability investigations on AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs)
Author: Serge KarboyanPublisher:
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Languages : fr
Pages : 133
Book Description
Le développement intensif et rapide des dispositifs HEMT à base de nitrure de gallium a été largement favorisé par les qualités intrinsèques du matériau pour proposer des performances élevées (haute puissance, haute fréquence...) et pour autoriser un fonctionnement en environnement extrêmement sévère (fluctuations thermiques, brouillage, tenues aux radiations ionisantes...) par rapport aux technologies concurrentes plus traditionnelles (Si, GaAs...). À ce jour, les dispositifs HEMTs AlGaN/GaN sont considérés comme une alternative prometteuse pour remplacer la technologie GaAs, et se positionnent comme d'excellents candidats pour des applications d'électronique de puissance, pour les applications TVSAT, des stations de base terrestres et des systèmes radar à large bande de fréquence (bande L à W), et pour les applications civiles et militaires. Cependant, il reste à lever certains verrous concernant des problèmes de fiabilité de ces dispositifs, qui affectent la durée de vie élevée attendue ; l'amélioration de la robustesse de ces technologies reste une phase critique à étudier malgré les progrès déjà réalisés. Plusieurs paramètres de fabrication affectent la fiabilité, tels que la passivation de la surface, le plateau de champ, le procédé de dépôt de la grille. Il est bien connu que l'étude de la fiabilité est complexe et ne pourra jamais être totalement accomplie, cependant les limites escomptées pour une exploitation raisonnable des filières GaN laissent entrevoir la possibilité de réels progrès dans ce domaine pour assoir le positionnement de ces technologies vis à vis des solutions concurrentes. Ce manuscrit de thèse présente les outils de diagnostic et les procédures de mesures associées développés pour mieux comprendre les mécanismes de dégradation sous-jacents de ces dispositifs. Les mesures électriques DC et pulsées à différentes températures sont présentées en premier lieu. Pour obtenir des informations au niveau microscopique sur la fluctuation des porteurs et des défauts dans les zones actives et passives du dispositif, des mesures de bruit basse fréquence sont effectuées sur les courant de grille et de drain sous différentes configurations : la diode seule (drain en l'air) et le transistor en régime saturé. Une technique électro-optique, l'OBIRCh (Optical Beam Induced Resistance Change technique), est aussi appliquée sur les mêmes composants : cette technique apporte d'autres informations quant à l'intégrité du composant (fluctuations de courant), et vient corroborer nos hypothèses sur l'activation de mécanismes piezoélectriques dans les zones fortement polarisées du composant. Toutes ces techniques non-destructives permettent des analyses croisées. Un modèle original de la diode Schottky a été établi pour tenir compte de certains défauts d'homogénéité à l'intérieur du contact de grille à l'interface entre la diode Schottky et la couche semi-conductrice supérieure. D'autres résultats originaux ont été trouvés à partir des mesures de bruit basse fréquence concernant la localisation des défauts actifs et leur évolution suite à l'application d'un stress électrique et thermique (HTRB, HTOL, ...). Les analyses électriques (pulsées et transitoires) des phénomènes de retard à la commande (grille ou drain) sont partiellement corrélées aux analyses du bruit basse fréquences des courant de grille et de drain pour identifier les mécanismes sous-jacents de dégradations. Dernièrement, une ébauche de plan d'expérience (DOE) est proposée dans le cadre de notre travail, qui complètera celui mis en œuvre dans le cadre du projet ANR REAGAN impliquant tous les partenaires : des règles et des procédures expérimentales sont identifiées pour s'assurer que les données expérimentales sont fiables (i.e. reflètent statistiquement le comportement réel du dispositif).
Applications Des Transistors a Effet de Champ en Arseniure de Gallium
Author: R. SoaresLe Transistor hyperfréquence à effet de champ à grille métallique sur arséniure de gallium
Author: Jacques GraffeuilPublisher:
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Languages : fr
Pages : 231
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ETUDE DES PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES PETITS SIGNAUX DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A BARRIERE DE SCHOTTKY SUR GAAS. ANALYSE DES PROPRIETES EN BRUITS DE CE DISPOSITIF ET DE LA COUCHE EPITAXIALE QUI EN REPRESENTE LE CONSTITUANT ESSENTIEL. LES RESULTATS OBTENUS REPONDENT A LA PLUPART DES BESOINS QUI AVAIENT MOTIVE CETTE ETUDE EN PARTICULIER: ETABLISSEMENT DES MODELES PERMETTANT DE SIMULER LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DYNAMIQUES ET EN BRUIT DE FOND DES TRANSISTORS MESFET, DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE MESURE ADAPTEES A LA DETERMINATION DES PARAMETRES CARACTERISANT LES PROPRIETES DES TRANSISTORS, APPLICATION DE CES RESULTATS A LA CONCEPTION ASSISTEE DES MESFET.
Nouveau modèle analytique du transistor à effet de champ à grille métallique sur Arséniure de Gallium en régime de saturation
Author: Pierre PouvilPublisher:
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Languages : fr
Pages : 446
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SCHEMA ELECTRIQUE EQUIVALENT AUX FREQUENCES INFERIEURES A 1 GHZ. MODELE BASE SUR L'APPROXIMATION QUADRATIQUE DE LA FORME DE LA ZONE DEPEUPLEE SOUS LA GRILLE EN REGIME SATURE. VALIDATION DU MODELE PAR COMPARAISON ENTRE SIMULATION ET EXPERIENCES. VARIATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE, LE TRANSISTOR ETANT SOUMIS A UN FLUX LUMINEUX DONT L'ENERGIE EST SUPERIEURE A LA LARGEUR DE LA BANDE INTERDITE DU MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MATERIAU. APPLICATIONS DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES DANS LE MESFET ILLUSTRE PAR LA REALISATION D'UN AMPLIFICATEUR ET D'UN OSCILLATEUR A COMMANDE OPTIQUE
Double-gate single electron transistor
Author: Mohamed Amine BounouarPublisher:
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Languages : en
Pages : 204
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